【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种反应腔室的清洁方法。
技术介绍
1、随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展。半导体的制造流程涉及两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀，其中，干法刻蚀是把晶圆暴露于刻蚀气体所产生的等离子体中，等离子体与晶圆发生物理化学反应，从而选择性地从晶圆表面去除不需要的材料。
2、通常，功率mos产品客制化特性决定了其膜层结构复杂多变，刻蚀过程中产生的聚合物较重，且形成的聚合物可能落到反应腔内的气体喷嘴管道中、分子泵的阀体和摆阀等位置，而形成在上述位置的聚合物较难清洁，易导致聚合物堆积，且在气体和电荷的作用下，堆积的聚合物可能会掉落在晶圆的表面，造成晶圆表面的块状刻蚀缺陷(如图1所示)，从而对产品的良率带来很大的影响；而且，对于某些刻蚀设备(比如北方华创机台)的反应腔，在没有经过大规模量产验证的bkm clean recipe，难以完全清洁腔体，导致randomsufferdefect issue，造成产品报废。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种反应腔室的清洁方法，用于解决现有的反应腔室清洁难度大、易造成产品报废的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种反应腔室的清洁方法，所述方法包括：
3、步骤1)提供一反应腔室，所述反应腔室包括气体喷嘴、边缘进气通道及摆阀，所述气体喷嘴设于所述反应腔室顶部的中心区域，所述边缘进气通道设于所述反应腔室靠近顶部
4、步骤2)通过所述边缘进气管道通入清洁气体以清理形成于所述气体喷嘴内的聚合物，其中，聚合物包括有机聚合物和无机聚合物；
5、步骤3)将所述摆阀处于闭合状态，并在第一腔室压力下利用第一惰性气体对形成于所述摆阀处的聚合物进行轰击，以将所述聚合物击散；
6、步骤4)将所述摆阀处于打开状态，并在第二腔室压力下利用第二惰性气体将击散的聚合物带走，其中，所述第二腔室压力小于所述第一腔室压力；
7、步骤5)对所述反应腔室进行抽气以将其内的聚合物抽出；
8、其中，步骤2)～步骤5)为一个清洁周期，通过执行至少一个清洁周期以对所述气体喷嘴及所述摆阀进行清洁。
9、可选地，所述清洁气体包括o2及nf3。
10、可选地，通过所述边缘进气管道通入o2及nf3以清理形成于所述气体喷嘴内的聚合物的方法包括：
11、在50mtorr～70mtorr的腔室压力下，通入o2以清理有机聚合物，且通气时长为25s～35s、流量为40sccm～60sccm；
12、在50mtorr～70mtorr的腔室压力下，通入nf3以清理无机聚合物，且通气时长为25s～35s、流量为40sccm～60sccm。
13、可选地，所述第一腔室压力包括240mtorr～260mtorr。
14、可选地，所述第一惰性气体的流量包括450sccm～550sccm。
15、可选地，所述第一惰性气体包括n2或ar。
16、可选地，所述第二腔室压力包括0mtorr～8mtorr。
17、可选地，所述第二惰性气体的流量包括450sccm～550sccm。
18、可选地，所述第二惰性气体包括n2或ar。
19、可选地，对所述反应腔室进行抽气以将其内的聚合物抽出的方法包括：
20、在腔室压力为0、所述摆阀处于完全打开状态的条件下对所述反应腔室进行抽气。
21、可选地，所述方法还包括再次通入o2及nf3以对所述反应腔室进行整体清洁并于其表面形成保护层的步骤。
22、如上所述，本专利技术的反应腔室的清洁方法，先通入o2及nf3对形成于气体喷嘴内的聚合物进行清洁，再通入惰性气体击散形成于摆阀处的聚合物并利用惰性气体将其带出，最后，利用分子泵将聚合物抽走，通过上述方法能够高效地清除形成于气体喷嘴内及摆阀处的聚合物，降低defect suffer ratio。
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1.一种反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括O2及NF3。
3.根据权利要求2所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，通过所述边缘进气管道通入O2及NF3以清理形成于所述气体喷嘴内的聚合物的方法包括：
4.根据权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一腔室压力包括240mtorr～260mtorr。
5.根据权利要求4所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一惰性气体的流量包括450sccm～550sccm。
6.根据权利要求5所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一惰性气体包括N2或Ar。
7.根据权利要求4所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第二腔室压力包括0mtorr～8mtorr。
8.根据权利要求2所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第二惰性气体的流量包括450sccm～550sccm。
9.根据权利要求8所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第二惰性气体
10.根据权利要求1～9任一项所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，对所述反应腔室进行抽气以将其内的聚合物抽出的方法包括：
11.根据权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述方法还包括再次通入O2及NF3以对所述反应腔室进行整体清洁并于其表面形成保护层的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括o2及nf3。
3.根据权利要求2所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，通过所述边缘进气管道通入o2及nf3以清理形成于所述气体喷嘴内的聚合物的方法包括：
4.根据权利要求1所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一腔室压力包括240mtorr～260mtorr。
5.根据权利要求4所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一惰性气体的流量包括450sccm～550sccm。
6.根据权利要求5所述的反应腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一惰性气体包括n2...
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，樊士文，朱建斌，姜瀚，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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