【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电通讯，特别涉及硒化锗光电探测器及其制备方法及光电通信装置。
技术介绍
1、光电探测器是一种可以吸收光信号，并将其转化成电信号的器件，原理是由于光辐射导致照射部分材料的电导率发生变化。光电探测器应用的场景非常广泛，医学、军事、生物学、物联网等领域都发挥着至关重要的作用，针对不同的用途也可以开发不同波段响应的光电探测器，例如：紫外光电探测器主要应用在日盲领域，可见光和近红外波段主要应用在光度计等测量仪器上，而针对波长在中红外范围的光电探测器，可以用于军事方面，在导弹制导，红外遥感，红外热成像等方面扮演着重要的角色。
2、黑磷作为重要的二维材料，已经广泛应用与各种研究之中，和其他的材料结合形成异质结制成的光电探测器均表现出良好的性能，高的载流子迁移率，宽波段的光谱响应，也可以用来检测偏振光，但是黑鳞在空气中的性质不稳定，在制备光电探测器等光学器件时，需要考虑寿命和稳定性的问题，需要在结构上设计封装保护层，会增加工艺流程和成本。
3、此外，现有的光电探测器并不能满足偏振光检测的需要，且检测波段较窄，检测信息不全面。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提出一种硒化锗光电探测器及其制备方法及光电通信装置，旨在解决现有技术中光电探测器并不能满足偏振光检测的需要，且检测波段较窄，检测信息不全面的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种硒化锗光电探测器，包括：
3、衬底；
4、光电转换部，设于所述衬底的一侧，所
5、电极层，位于光电转换部背离所述衬底的一侧。
6、可选地，所述光电转换部的厚度为100～200nm。
7、可选地，所述衬底的材料包括si，sic及soi中的至少一种；和/或，
8、所述电极层的材料包括au、ag、pd及pt中的至少一种。
9、可选地，还包括介电层和粘结层，其中：
10、所述介电层设于所述衬底和所述光电转换部之间，所述介电层的材料包括sio2、al2o3及hfo2中的至少一种；和/或，
11、所述粘结层设置于所述电极层和所述光电转换部之间，所述粘结层的材料包括cr、ti及pd中的至少一种。
12、本专利技术还提出了一种硒化锗光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
13、提供衬底；
14、在衬底上形成硒化锗光电转换部；
15、在光电转换部背离衬底的一侧形成电极层，得硒化锗光电探测器。
16、可选地，步骤在衬底上形成硒化锗光电转换部中，形成硒化锗光电转换部的方式包括在衬底上生长硒化锗或将硒化锗层粘结在衬底上。
17、可选地，将硒化锗层粘结在衬底上的步骤包括：
18、将硒化锗块体剥离成硒化锗薄层；
19、将硒化锗薄层转移到指聚二甲基硅氧烷垫上，选取目标厚度的硒化锗层；
20、将硒化锗层粘结到衬底上。
21、可选地，所述提供衬底的步骤包括：
22、将衬底采用异丙醇进行第一次清洗后，采用去离子水将衬底进行第二次清洗，氮气吹干；
23、将氮气吹干的衬底进行等离子处理，得衬底。
24、可选地，所述等离子处理的时间为15～30min；和/或，
25、所述等离子处理的温度为20～40℃。
26、本专利技术还提出了一种光电通信装置，包括所述的硒化锗光电探测器或所述的硒化锗光电探测器的制备方法制备的硒化锗光电探测器。所述硒化锗光电探测器，包括衬底，光电转换部以及电极层，所述光电转换部设于所述衬底的一侧，所述光电转换部的材料包括硒化锗，所述电极层位于光电转换部背离所述衬底的一侧。
27、本专利技术的技术方案中，通过采用硒化锗的光电转换部，使得所述光电探测器具有非线性特性，在入射光角度变化时，特征峰b3g和ag2强度的比值会发生改变，从而提高偏振光检测的灵敏性。同时具备254～1380nm的较长的光谱探测范围，检测信息更全面，兼具宽波段探测和光的方向探测的优势。
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1.一种硒化锗光电探测器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的硒化锗光电探测器，其特征在于，所述光电转换部的厚度为100～200nm。
3.如权利要求1所述的硒化锗光电探测器，其特征在于，
4.如权利要求1所述的硒化锗光电探测器，其特征在于，还包括介电层和粘结层，其中：
5.一种如权利要求1至4任意一项所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤在衬底上形成硒化锗光电转换部中，形成硒化锗光电转换部的方式包括在衬底上生长硒化锗或将硒化锗层粘结在衬底上。
7.如权利要求6所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，将硒化锗层粘结在衬底上的步骤包括：
8.如权利要求5所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，所述提供衬底的步骤包括：
9.如权利要求8所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，所述等离子处理的时间为15～30min；和/或，
10.一种光电通信装置，其特征在于，包括如
...【技术特征摘要】
1.一种硒化锗光电探测器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的硒化锗光电探测器，其特征在于，所述光电转换部的厚度为100～200nm。
3.如权利要求1所述的硒化锗光电探测器，其特征在于，
4.如权利要求1所述的硒化锗光电探测器，其特征在于，还包括介电层和粘结层，其中：
5.一种如权利要求1至4任意一项所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的硒化锗光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤在衬底上形成硒化锗光电转换部中，形成硒化锗光电转换部的方式包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：王卓，朱建宇，王定官，何家源，徐博，王杰，聂东，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：
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