【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种分栅式闪存的形成方法。
技术介绍
1、分栅式闪存相对于传统的nord闪存，具有读取电压低，读错误率低，同时外围电路设计也相对简单等优势。
2、分栅式闪存在进行擦除操作时，需要对浮栅上方的擦除栅施加高压。通常，分栅式闪存包括存储区和外围区，存储区中的擦除栅延伸至外围区中形成引出端。
3、但是，在实际制造过程中发现在存储区字线多晶硅刻蚀后，擦除栅引出端表面仅剩余较薄氧化层，从而在后续通过热氧工艺制作外围高压器件氧化层时，氧气会穿过较薄氧化层钻入擦除栅中，导致擦除栅被氧化消耗，使得擦除栅引出端失效，进而导致无法对存储区进行有效擦除操作。
技术实现思路
1、本申请提供了一种分栅式闪存的形成方法，可以解决相关技术中出现擦除栅引出端因被氧化消耗而失效的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种分栅式闪存的形成方法，所述分栅式闪存的形成方法包括以下依次执行的步骤：
3、提供半导体基底层，所述半导体...
【技术保护点】
1.一种分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述分栅式闪存的形成方法包括以下依次执行的步骤：
2.如权利要求1所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述在所述存储区位置处制作形成分栅式闪存元胞初级结构，在所述存储器件引出区位置制作形成多个相间隔的多晶硅复合引出结构，所述外围器件区的半导体基底层外露的步骤，包括以下依次进行的各步骤：
3.如权利要求2所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述在存储区中制作分栅式闪存器件的源线和源线侧墙的步骤，包括以下依次进行的各步骤：
4.如权利要求1所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述在所...
【技术特征摘要】
1.一种分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述分栅式闪存的形成方法包括以下依次执行的步骤：
2.如权利要求1所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述在所述存储区位置处制作形成分栅式闪存元胞初级结构，在所述存储器件引出区位置制作形成多个相间隔的多晶硅复合引出结构，所述外围器件区的半导体基底层外露的步骤，包括以下依次进行的各步骤：
3.如权利要求2所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述在存储区中制作分栅式闪存器件的源线和源线侧墙的步骤，包括以下依次进行的各步骤：
4.如权利要求1所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，所述在所述存储区位置处制作形成分栅式闪存元胞初级结构的步骤，包括以下依次进行的各步骤：
5.如权利要求4所述的分栅式闪存的形成方法，其特征在于，存储器件引出区中的多晶硅复合引出结构和分栅式闪存元胞初级结构中的多晶硅复合分离栅结构均包括由下至上层叠在半导体基底层上的浮栅介质层、浮栅多晶硅层、多晶硅间介质层和擦除栅多晶硅层；
6.如权利要求1所述的分栅式闪存的形成方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：张高明，于涛，陆亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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