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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及分栅式闪存的形成方法，包括：在存储区位置制作形成分栅式闪存元胞初级结构，在存储器件引出区位置制作形成多个相间隔的多晶硅复合引出结构，外围器件区的半导体基底层外露；制作薄氧层，薄氧层至少覆盖多晶硅...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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