真空微电子多功能传感器及制备方法技术

一种真空微电子多功能传感器。在真空压力传感器的阳极版的背面制备薄膜温度传感器，所述的传感器是阵列传感器。本发明专利技术将两种传感器集成，可以形成一个双功能的传感器，既能对外界压力的分布进行测量，又能对环境的温度进行感知。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于真空微电子传感器，特别是多功能真空微电子传感器。近年来，传感器的发展很快，各种新型传感器层出不穷。真空微电子压力传感器正是其中之一。这种新型的压力传感器具有抗辐射、体积小、灵敏度高、温度稳定性好以及制造工艺与微电子技术兼容等优点，具有良好的应用前景。然而目前存在的真空微电子压力传感器器件尺寸均比较大，且只能测量单一的压力，不能测量外界压力的分布。同时，目前常用的几种压力传感器与温度传感器集成也仍存在着一些问题。例如，硅压阻式压力传感器在温度变化范围较大时必须进行温度补偿，给集成化造成了困难；压电式压力传感器采用压电晶体作为工作物质，其制造工艺与微电子技术不兼容；电容式压力传感器则在器件的微型化上存在着较大的困难。由于真空微电子压力传感器具有较好的温度稳定性和IC兼容性，因此其与温度传感器的集成是可能的。本专利技术的目的是实现真空微电子压力传感器的微型化，形成阵列以测量外界压力的分布。同时，将真空微电子压力传感器与温度传感器集成，实现传感器的多功能，能同时测量外界的压力和温度。本专利技术的主要特点是在真空微电子压力传感器的阳极版的背面制备薄膜温度传感器，传感器是阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空微电子多功能传感器，包括真空微电子压力传感器，其特征在于在真空压力传感器的阳极版的背面制备薄膜温度传感器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏善红，苏杰，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]