一种晶圆双面合金凸块的工艺结构制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆双面合金凸块的工艺结构，属于晶圆加工领域。一种晶圆双面合金凸块的工艺结构，包括：晶圆、玻璃载板与设置于所述晶圆与玻璃载板之间的键合层；所述晶圆与玻璃载板通过所述键合层键合在一起，所述晶圆上形成若干通孔，且所述通孔内填充有金属；所述玻璃载板上开设有若干窗口，所述窗口的位置与所述通孔相对应；所述晶圆远离所述玻璃载板的一端形成晶圆背面重布线层，所述晶圆与所述玻璃载板键合的端面形成晶圆正面重布线层。与现有技术相比，本申请的晶圆双面合金凸块的工艺结构能够同时进行双面合金凸块工艺，提高了生产效率，并且不需要凸块的包覆与去除工序，降低不良率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆双面合金凸块的工艺结构
本专利技术涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆双面合金凸块的工艺结构。
技术介绍
集成电路技术在过去的几十年里一直遵循摩尔定律不断发展，即单位集成电路面积上可容纳的晶体管数目大约每隔18个月可以增加一倍。然而，当晶体管尺寸减小到纳米级后，想再通过减小晶体管尺寸来提升集成电路的性能己经变得非常困难，而随着人类生活品质的提高，随身携带多样性的发展，最终产品需依轻、薄、小、快的规格发展，近年来，在封装技术上，已从传统的引线连接晶粒再连接印刷电路板的方式，发展到2.5D，及三维(3D)的封装技术。“穿透硅通道(Through-SiliconVias)”技术的成熟化，使得可以上下转直多层堆叠，凸块技术解决了上下层堆叠中互连需求。与传统的引线键合互联相比，硅通孔技术加上凸块技术连接，有导电好及功耗低的优点。在生产过程中，一般采取硅通道(Through-SiliconVias)”技术，采用铜为通孔及重佈线的材料，完成晶圆正面凸块电镀工序后，实行包覆凸块工艺，再用玻璃载板键合，使得键合后可以薄化晶圆(20～200um)，依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆双面合金凸块的工艺结构，其特征在于，包括：晶圆、玻璃载板与设置于所述晶圆与玻璃载板之间的键合层；/n所述晶圆与玻璃载板通过所述键合层键合在一起，/n所述晶圆上形成若干通孔，且所述通孔内填充有金属；/n所述玻璃载板上开设有若干窗口，所述窗口的位置与所述通孔相对应；/n所述晶圆远离所述玻璃载板的一端形成晶圆背面重布线层，所述晶圆与所述玻璃载板键合的端面形成晶圆正面重布线层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆双面合金凸块的工艺结构，其特征在于，包括：晶圆、玻璃载板与设置于所述晶圆与玻璃载板之间的键合层；
所述晶圆与玻璃载板通过所述键合层键合在一起，
所述晶圆上形成若干通孔，且所述通孔内填充有金属；
所述玻璃载板上开设有若干窗口，所述窗口的位置与所述通孔相对应；
所述晶圆远离所述玻璃载板的一端形成晶圆背面重布线层，所述晶圆与所述玻璃载板键合的端面形成晶圆正面重布线层。


2.根据权利要求1所述的晶圆双面合金凸块的工艺结构，其特征在于，所述晶圆背面重布线层与晶圆正面重布线层外布置有凸点金属层。


3.根据权利要求2所述的晶圆双面合金凸块的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33