一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片技术

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片，该半导体结构，包括焊盘以及设置于焊盘旁的立式挡坝结构；一种半导体器件，包括本公开的一个或多个实施例的半导体结构；一种芯片，包括本公开的一个或多个实施例的半导体器件；一种半导体结构的形成方法，包括如下的步骤：提供虚拟有源区；在虚拟有源区的上方进行的位线形成工艺、外围接触件制作工艺、焊盘制作工艺中的至少一个工艺中，形成设置于焊盘周围的立式挡坝结构。与现有技术相比，本公开创新地在焊盘旁设置立式挡坝结构，以降低焊盘受到的电气应力和环境应力，避免水分渗透到焊盘中，降低膜裂的可能性，进而提高半导体器件的可靠性和信赖度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片
本公开涉及半导体器件
，更为具体地，本公开为一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片。
技术介绍
半导体芯片(Chip)的焊盘(PAD)区域在后续的压焊(Wirebonding)作业中会受到电气应力(ElectricalStress)和环境应力(EnvironmentalStress)，而且焊盘(PAD)部位对电气和水分等环境因素比较敏感，比如持续使用半导体芯片产品可能会产生膜裂开(ChipCrack)或水分渗透等问题，很可能会影响主芯片(MainChip)的正常使用。
技术实现思路
为解决现有半导体芯片的焊盘区域容易受到电气应力和环境应力的影响、对环境因素比较敏感等问题，本公开创新地提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件、芯片，独特地将立式挡坝结构(DAMVerticalStructure)设置在焊盘的周围，可通过立式挡坝结构释放环境应力和电气应力，还能够阻挡水分进入焊盘区域内，显著地降低了膜裂开的可能性，从而彻底解决了现有半导体芯片的焊盘区域存在的诸多问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n焊盘；/n以及设置于所述焊盘旁的立式挡坝结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
焊盘；
以及设置于所述焊盘旁的立式挡坝结构。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
所述立式挡坝结构，沿垂直方向上延伸，包括：
虚拟外围接触件，横截面呈筒状，设置于所述焊盘的外围。


3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
所述立式挡坝结构，还包括：虚拟位线和虚拟位线接触部；
所述虚拟位线，设置于所述虚拟外围接触件的下方，与所述虚拟外围接触件连接；
所述虚拟位线接触部，设置于所述虚拟位线的下方以及虚拟有源区的上方，与所述虚拟位线连接。


4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，
所述立式挡坝结构，还包括：第一虚拟金属层、第一虚拟导通孔层及第二虚拟金属层；
所述第一虚拟金属层，设置于所述虚拟外围接触件的上方，且与所述虚拟外围接触件连接；
所述第二虚拟金属层，通过所述第一虚拟导通孔层连接所述第一虚拟金属层，且设置于所述第一虚拟金属层和所述第一虚拟导通孔层的上方。


5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：裴俊值，杨涛，高建峰，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11