晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。本发明专利技术的晶圆凸块可以防止第一金属层氧化。本发明专利技术的晶圆凸块的制造方法，工艺简单，制得的晶圆凸块抗氧化性高，且可以抵抗两种金属之间存在电位差而造成的贾凡尼效应。

【技术实现步骤摘要】
晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法
本专利技术涉及一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，以解决现有晶圆凸块上金属层容易氧化的问题以及因为存在不同金属而产生贾凡尼效应的问题。
技术介绍
现有的晶圆凸块上金属暴露，容易发生氧化，进而影响产品特性。另外又因为晶圆凸块上设有不同的金属层，不同的金属由于电位差的缘故，通过介质产生了电流，继而产生了电化学反应，使得部分金属被氧化，也就是产生贾凡尼效应，这样会影响产品使用的可靠性。有鉴于此，有必要对现有的晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法予以改进，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆凸块及晶圆凸块的制造方法，以解决现有晶圆凸块上的金属容易被氧化的问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种晶圆凸块，所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆凸块，其特征在于：所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆凸块，其特征在于：所述晶圆凸块包括位于底部的半导体基材、位于所述半导体基材上的线路层、位于所述线路层上方的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层和所述线路层之间，所述晶圆凸块还包括围绕所述第一金属层侧面设置的第一光刻胶、位于所述第一金属层和所述线路层之间的隔绝层，所述第一光刻胶的高度不低于第一金属层的高度。


2.根据权利要求1所述的晶圆凸块，其特征在于：所述晶圆凸块还包括保护层，所述保护层的高度高于所述线路层，所述线路层埋设在所述保护层内且自保护层暴露。


3.根据权利要求2所述的晶圆凸块，其特征在于：所述第一金属层包括相连接的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述第二部分的下方，所述第一部分的底面与所述线路层相抵接，所述第一部分的侧面和所述保护层相抵接，所述第二部分的截面面积大于所述第一部分的截面面积，所述第二部分底面与所述第一部分相连并与所述保护层相抵接，所述第二部分的侧面和所述第一光刻胶相抵接。


4.根据权利要求3所述的晶圆凸块，其特征在于：所述晶圆凸块还包括位于所述第一金属层和所述保护层以及第一金属层和所述第一光刻胶之间的隔绝层。


5.根据权利要求4所述的晶圆凸块，其特征在于：所述隔绝层的材料为钛钨铜或者钛铜。


6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，
申请(专利权)人：颀中科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32