【技术实现步骤摘要】
一种接触孔刻蚀方法
本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种接触孔刻蚀方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。这种三维存储器件的技术研发是国际研发的主流之一。在三维存储器件的制造过程中，需要在三维存储器件中的台阶区域的各级控制栅结构上刻蚀形成接触孔，然后填充接触孔，从而引出控制栅的电信号。而对于三维存储器件中台阶区域接触孔的形成，由于三维存储器件中存储层数较多，需要刻蚀的深度变得越来越深，接触孔刻蚀的工艺面临的挑战越来越大。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种接触孔刻蚀方法。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种接触孔刻蚀方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括若干堆叠排布的控制栅结构，所述控制栅结构的至少一侧形成为台阶区域，所述台阶区域内位于下...
【技术保护点】
1.一种接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括若干堆叠排布的控制栅结构，所述控制栅结构的至少一侧形成为台阶区域，所述台阶区域内位于下层的控制栅结构的侧壁凸出于位于上层的控制栅结构的侧壁；所述半导体结构还包括覆盖所述台阶区域的介质层；/n在所述介质层上形成硬掩膜层；/n采用第一光刻工艺在所述硬掩膜层上定义出与所述控制栅结构一一对应的接触孔图形；/n通过所述硬掩膜层刻蚀所述介质层，以在所述介质层内形成与所述控制栅结构一一对应的接触孔；/n从高层台阶区域到低层台阶区域逐步刻蚀所述介质层，以使所述接触孔加深到至少暴露出部分控制栅结构的表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括若干堆叠排布的控制栅结构，所述控制栅结构的至少一侧形成为台阶区域，所述台阶区域内位于下层的控制栅结构的侧壁凸出于位于上层的控制栅结构的侧壁；所述半导体结构还包括覆盖所述台阶区域的介质层；
在所述介质层上形成硬掩膜层；
采用第一光刻工艺在所述硬掩膜层上定义出与所述控制栅结构一一对应的接触孔图形；
通过所述硬掩膜层刻蚀所述介质层，以在所述介质层内形成与所述控制栅结构一一对应的接触孔；
从高层台阶区域到低层台阶区域逐步刻蚀所述介质层，以使所述接触孔加深到至少暴露出部分控制栅结构的表面。
2.根据权利要求1所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述通过所述硬掩膜层刻蚀所述介质层，以在所述介质层内形成与所述控制栅结构一一对应的接触孔，包括：
以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，以在所述介质层内形成与所述控制栅结构一一对应的接触孔，所述接触孔中包括暴露出部分控制栅结构表面的第一组接触孔以及未暴露出对应控制栅结构表面的第二组接触孔。
3.根据权利要求2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，所述从高层台阶区域到低层台阶区域逐步刻蚀所述介质层，以使所述接触孔加深到至少暴露出部分控制栅结构的表面，包括：
形成填充所述第一组接触孔的光刻胶层；
以所述光刻胶层和所述硬掩膜层为掩膜再次刻蚀所述介质层，以使所述第二组接触孔加深到至少暴露出部分控制栅结构的表面。
4.根据权利要求2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，
所述第一组接触孔包括多个深度不同的接触孔；所述第二组接触孔包括多个深度相同的接触孔；所述第一组接触孔中多个接触孔的深度小于等于所述第二组接触孔中多个接触孔的深度。
5.根据权利要求2所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，
所述第一组接触孔的数量大于等于64。
6.根据权利要求3所述的接触孔刻蚀方法，其特征在于，在再次刻蚀所述介质层的步骤之后，所述第二组接触孔中包括暴露出部分控制栅结构表面的第三组接触孔以及未暴露出对应控制栅结构表面的第四组接触孔；
所述方法还包括：
执行形成填充所述第三组接触孔的光刻胶层和再次刻蚀所述介质层的步骤，直至若干所述控制栅结构均被对应的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王迪，刘磊，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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