一种通孔的激光加工方法技术

本发明专利技术提供了一种通孔的激光加工方法，其通过先形成一预定高度的材料，然后对气隙位置进行激光修复，以使得所述气隙变为开口较大、深度较浅的凹孔，然后进行第二次填充材料，形成最终的导电通孔。其可以消除所述气隙，且能够使得保证通孔各位置的导电性相同，防止电流聚集或者断路。

【技术实现步骤摘要】
一种通孔的激光加工方法
本专利技术涉及半导体材料加工制造领域，具体涉及一种通孔的激光加工方法。
技术介绍
导电通孔是半导体加工、芯片后道工序等必须使用的结构，其通常是通过在通孔中填充导电物质形成的。具体可以参见图8，在顶部金属层2上具有绝缘层1，该绝缘层1通常为氧化硅、氮化硅等无机材料，为了保证大密度的导电通孔，在绝缘层1内通常会形成较大纵宽比的通孔3，然后在通孔3中填充导电材料4以形成导电通孔，但是由于沉积的在底面和侧壁的不均匀性，会在导电材料4的中部具有一气隙5，该气隙对于导电性能是极为不利的，且在打磨或者覆盖其他材料时，会影响其他结构。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种通孔的激光加工方法，其依次包括以下步骤：(1)根据预形成的通孔的直径和深度，测算气隙所产生的位置，该气隙为材料完全填充满所述通孔时所产生的气隙；(2)根据所述气隙的位置，设定一预定高度；(3)在所述通孔中沉积第一材料，检测第一材料是否达到所述预定高度，所述第一材料中形成有具有第一开口和第一深度的第一凹孔；...

【技术保护点】
1.一种通孔的激光加工方法，其依次包括以下步骤：/n(1)根据预形成的通孔的直径和深度，测算气隙所产生的位置，该气隙为材料完全填充满所述通孔时所产生的气隙；/n(2)根据所述气隙的位置，设定一预定高度；/n(3)在所述通孔中沉积第一材料，检测第一材料是否达到所述预定高度，所述第一材料中形成有具有第一开口和第一深度的第一凹孔；/n(4)利用激光对所述第一材料进行修复，以使得所述第一凹孔修整为第二凹孔，所述第二凹孔具有第二开口和第二深度；/n(5)继续沉积所述第一材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种通孔的激光加工方法，其依次包括以下步骤：
(1)根据预形成的通孔的直径和深度，测算气隙所产生的位置，该气隙为材料完全填充满所述通孔时所产生的气隙；
(2)根据所述气隙的位置，设定一预定高度；
(3)在所述通孔中沉积第一材料，检测第一材料是否达到所述预定高度，所述第一材料中形成有具有第一开口和第一深度的第一凹孔；
(4)利用激光对所述第一材料进行修复，以使得所述第一凹孔修整为第二凹孔，所述第二凹孔具有第二开口和第二深度；
(5)继续沉积所述第一材料。


2.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于，还包括步骤(6)，平坦化所述第一材料。


3.根据权利要求1所述的通孔的激光加工方法，其特征在于，在步骤(1)中，还包括在绝缘层中形成该通孔，该通孔的底部露出在所述绝缘层之下的顶部金属层。


4.根据权利要求3所述的通孔的激光加工方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，
申请(专利权)人：福唐激光苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32