一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备技术

本发明专利技术公开一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备，涉及纳米结构制作技术领域，以有效地解决常规图案化工艺不适用于金属纳米结构制作的问题。金属纳米结构的制作方法包括，提供衬底；在衬底上形成图案化纳米结构；在图案化纳米结构背离衬底的表面形成金属纳米结构。所述金属纳米结构采用本发明专利技术提供的制作方法制成，本发明专利技术提供的金属纳米结构应用于电子器件和电子设备中。

【技术实现步骤摘要】
一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备
本专利技术涉及纳米结构制作
，特别是涉及一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备。
技术介绍
纳米结构是由至少一个方向上的尺寸被限定在100纳米以下的纳米材料制成，包括纳米线、纳米棒、纳米管、纳米带、纳米片等。金属纳米结构具有机械强度高、导电性好和比表面积大的优点，在多个方面具有广阔的应用前景。基于金属纳米线材料制作应用在电子器件上的金属纳米结构时，由于金属纳米线材料极难刻蚀，常规的图案化工艺不再适用于金属纳米结构的制作，因此，亟待提出一种适用于金属纳米结构的制作方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备，以在图案化纳米结构的遮挡下，直接在图案化纳米结构的表面形成金属纳米结构，使得一次成膜无需图案化即可直接制成金属纳米结构，以有效地解决常规图案化工艺不适用于金属纳米结构制作的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供一种金属纳米结构的制作方法，包括：提供衬底；r>在衬底上形成图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属纳米结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成图案化纳米结构；/n在所述图案化纳米结构背离所述衬底的表面形成金属纳米结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属纳米结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成图案化纳米结构；
在所述图案化纳米结构背离所述衬底的表面形成金属纳米结构。


2.根据权利要求1所述的金属纳米结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成图案化纳米结构，包括：
在所述衬底上形成多个槽体以及覆盖所述多个槽体的图案化掩膜层；所述图案化掩膜层具有与多个槽体一一对应的多个镂空部。


3.根据权利要求2所述的金属纳米结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个槽体以及覆盖所述多个槽体的图案化掩膜层，包括：
在所述衬底的表面形成所述图案化掩膜层；
利用所述图案化掩膜层在所述衬底上形成所述多个槽体。


4.根据权利要求2所述的金属纳米结构的制作方法，其特征在于，每个所述镂空部在所述槽体的槽底所在层面的正投影位于所述槽体的槽底内，或与所述槽体的槽底重合。


5.根据权利要求2所述的金属纳米结构的制作方法，其特征在于，所述图案化掩膜层还包括多个遮挡部；在所述衬底上形成多个槽体以及覆盖所述多个槽体的图案化掩膜层时，在所述衬底上形成多个槽体以及覆盖所述多个槽体的图案化掩膜层还包括：
在所述衬底上形成与多个遮挡部一一对应的多个凸起；相...

【专利技术属性】
技术研发人员：周娜，李俊杰，高建峰，刘耀东，李永亮，罗军，赵超，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11