一种超厚转接板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种超厚转接板的制作方法，包括以下步骤：A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；D，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。

【技术实现步骤摘要】
一种超厚转接板的制作方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种超厚转接板的制作方法。
技术介绍
微波毫米波射频集成电路技术是现代国防武器装备和互联网产业的基础，随着智能通信、智能家居、智能物流、智能交通等“互联网+”经济的快速兴起，承担数据接入和传输功能的微波毫米波射频集成电路也存在巨大现实需求及潜在市场。在后摩尔定律的时代背景下，通过传统的缩小晶体管尺寸的方式来提高集成度变得更加困难。现在的电子系统正朝着小型化、多样化、智能化的方向发展，并最终形成具有感知、通信、处理、传输等融合多功能于一体的高集成度低成本综合电子系统。多功能综合电子系统的核心技术是集成，正在由平面集成向三维集成、由芯片级向集成度和复杂度更高的系统级集成发展。三维集成系统级封装能够解决同样面积内集成更多的晶体管的问题，是未来的发展方向。通过转接板做载板或者盖板来做系统级封装的结构既能在架构上将芯片由平面布局改为堆叠式布局，又能集成无源器件或分立元件等系统构建，使得精度、密度增加，性能大大提高，代表着未来射频集成电路技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；/nB，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；/nC，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；/nD，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；。/nE，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。/n

【技术特征摘要】
1.一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；
B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；
C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；
D，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；。
E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。


2.如权利要求1所述的超厚转接板的制作方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：
准备双层SOI硅片，通过光刻和刻蚀工艺在硅片表面制作TSV；
TSV停在第二层SOI上面，此处TSV直径为1um到1000um之间；
在硅片上方沉积钝化层，或者直接热氧化，钝化层厚度范围在10nm到100um之间；
通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um；
电镀铜，使铜金属覆盖TSV表面，200到500度温...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，冯光建，王永河，马飞，程明芳，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33