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本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括以下步骤：A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；C，对转接板T...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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