用于半导体器件的临时键合工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体器件的临时键合工艺，其包括如下步骤：步骤1、提供键合支撑体，所述键合支撑体包括支撑衬底以及设置于所述支撑衬底上的纳米森林结构；步骤2、提供待临时键合的器件衬底，并在所述器件衬底的正面设置柔性键合连接层，将器件衬底的柔性键合连接层置于支撑衬底的纳米森林结构上方，通过压合能使得柔性键合连接层能与纳米森林结构紧密接触，以实现器件衬底与支撑衬底间的键合固定。本发明专利技术与现有工艺兼容，能在常温条件下，能实现临时键合与解键合的工艺过程，避免引发翘曲问题，降低较薄半导体器件的破损几率以及生产成本，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件的临时键合工艺
本专利技术涉及一种临时键合工艺，尤其是一种用于半导体器件的临时键合工艺，属于半导体器件加工的

技术介绍
随着半导体技术的发展，对各种元器件集成度和功能的要求也越来越高，研发的方向逐渐转向如何实现更高密度的封装体，而不是一味地追求晶体管的尺寸缩小。高密度封装体的主要原理是通过将晶圆和晶圆(WafertoWafer)或芯片和晶圆(ChiptoWafer)进行层层堆叠，以能提高芯片或者相应电子器件的集成度。但目前业界针对3D集成技术，最关心也最担忧的还是集中在薄晶圆拿持技术的可靠性，以及利用该技术进行后续背面工艺研究的可行性。对于超薄器件的晶圆，由于其机械强度的降低以及翘曲度或弯曲度的增加，普通的半导体设备几乎难以完成支撑和传输动作，碎片率非常高。为了解决这种薄晶圆的支撑和传输问题，业界通常采用临时键合与解键合技术。目前，普遍使用的临时键合与解键合的技术包括：高温热拆键合，静电吸附，化学浸泡，机械拆键合或激光键合。但现有技术中，晶圆临时键合工艺步骤繁琐，且容易造成晶圆翘曲，这是由于临时键合完成之后背面工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是，所述临时键合工艺包括如下步骤：/n步骤1、提供键合支撑体，所述键合支撑体包括支撑衬底(1)以及设置于所述支撑衬底(1)上的纳米森林结构；/n步骤2、提供待临时键合的器件衬底(6)，并在所述器件衬底(6)的正面设置柔性键合连接层(7)，将器件衬底(6)的柔性键合连接层(7)置于支撑衬底(1)的纳米森林结构上方，通过压合能使得柔性键合连接层(7)能与纳米森林结构紧密接触，以实现器件衬底(6)与支撑衬底(1)间的键合固定。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是，所述临时键合工艺包括如下步骤：
步骤1、提供键合支撑体，所述键合支撑体包括支撑衬底(1)以及设置于所述支撑衬底(1)上的纳米森林结构；
步骤2、提供待临时键合的器件衬底(6)，并在所述器件衬底(6)的正面设置柔性键合连接层(7)，将器件衬底(6)的柔性键合连接层(7)置于支撑衬底(1)的纳米森林结构上方，通过压合能使得柔性键合连接层(7)能与纳米森林结构紧密接触，以实现器件衬底(6)与支撑衬底(1)间的键合固定。


2.根据权利要求1所述的用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是：还包括解键合工艺，在解键合时，将器件衬底(6)与支撑衬底(1)向相反的方向拉动，直至柔性键合连接层(7)与纳米森林结构相互分离，以解除器件衬底(6)与支撑衬底(1)间的键合固定。


3.根据权利要求1所述的用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是：所述支撑衬底(1)包括硅衬底、SOI衬底、石英衬底或玻璃衬底。


4.根据权利要求1或2或3所述的用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是：所述纳米森林结构包括若干锥状纳米柱(4)，所述锥状纳米柱(4)的底部直径为150nm～200nm，锥状纳米柱(4)的尖端直径为10nm～30nm，锥状纳米柱(4)的高度为800nm～900nm。


5.根据权利要求1所述的用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是：器件衬底(6)与支撑衬底(1)键合固定后，对器件衬底(6)进行减薄，并在减薄后，在器件衬底(6)进行所需的加工工艺。


6.根据权利要求5所述的用于半导体器件的临时键合工艺，其特征是：对器件衬底(6)减薄后，器件衬底(6)的厚度为50μm-200μm；在减薄后，对器件衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑾，冒薇，王丰梅，
申请(专利权)人：苏州研材微纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32