多晶硅刻蚀方法技术

本申请公开了一种多晶硅刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离高于有源区，衬底表面依次覆盖有多晶硅层、硬掩膜层、BARC、光阻；根据光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除部分BARC，被去除部分的BARC厚度小于BARC的厚度，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除浅沟槽隔离上方的BARC，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀有源区上方的BARC；根据光阻定义的图形区域对硬掩膜层进行刻蚀，去除光阻和BARC，刻蚀多晶硅层；解决了现有技术中增加BARC过刻蚀过程后特征尺寸均匀性变差的问题，达到了改善特征尺寸的均匀性，以及保证特征尺寸的大小的效果。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅刻蚀方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种多晶硅刻蚀方法。
技术介绍
在制作半导体器件时，一般会在衬底上制作浅沟槽隔离，利用浅沟槽隔离定义出有源区。在一些情况下，浅沟槽隔离会高出有源区，形成台阶，比如，浅沟槽隔离与有源区的高度差为500A，即台阶高度为500A。随着工艺复杂度增加，在多晶硅栅刻蚀的过程中，浅沟槽隔离与有源区表面的夹角处会残留有多晶硅，且残留的多晶硅无法通过刻蚀去除。如图1所示，浅沟槽隔离11与有源区12表面的夹角处有多晶硅13残留。常规方法中，当浅沟槽隔离上方的BARC(BottomAnti-Reflectivecoating，底部抗反射层)被刻蚀去除后，增加过刻蚀处理来保证台阶下方的BARC被去除。然而，过刻蚀BARC时也会刻蚀掉一部分硬掩膜层，由于不同图形之间有不同的负载效应，不同图形对应的硬掩膜层会产生不同的刻蚀效果，导致特征尺寸的均匀性很差，影响半导体器件的良率。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本申请提供了一种多晶硅刻蚀方法。该技术方案如下：<br>一方面，本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一衬底，所述衬底内形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离用于定义有源区，所述浅沟槽隔离高于所述有源区，所述衬底表面依次覆盖有多晶硅层、硬掩膜层、BARC、光阻；/n根据所述光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除部分BARC，被去除部分的BARC厚度小于所述BARC的厚度；/n根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除所述浅沟槽隔离上方的BARC；/n根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀所述有源区上方的BARC；/n根据所述光阻定义的图形区域，采用干法刻蚀对所述硬掩膜层进行刻蚀；/n去除所述光阻和所述B...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，所述衬底内形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离用于定义有源区，所述浅沟槽隔离高于所述有源区，所述衬底表面依次覆盖有多晶硅层、硬掩膜层、BARC、光阻；
根据所述光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除部分BARC，被去除部分的BARC厚度小于所述BARC的厚度；
根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除所述浅沟槽隔离上方的BARC；
根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀所述有源区上方的BARC；
根据所述光阻定义的图形区域，采用干法刻蚀对所述硬掩膜层进行刻蚀；
去除所述光阻和所述BARC；
根据所述硬掩膜层定义的图形区域，刻蚀所述多晶硅层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除所述浅沟槽隔离上方的BARC，包括：
根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气刻蚀去除所述浅沟槽隔离上方的BARC，刻蚀过程中源功率为第一功率；
所述根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀所述有源区上方的BARC，包括：
根据所述光阻定义的图形区域，利用氯气、氧气和氦气按时间刻蚀所述有源区上方的BARC，刻蚀过程中源功率为第二功率；
所述第一功率小于所述第二功率。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除预定厚度的BARC，所述预定厚度小于所述BARC的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：向磊，戴鸿冉，熊磊，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32