转移基板及制备方法、转移装置、转移方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法，属于显示技术领域，其可解决现有的转移基板与待转移的芯片之间粘附力较低、工艺稳定性差的问题。本发明专利技术的转移基板，包括：基底、以及位于基底上的多个拾取单元；拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个拾取单元包括多个纳米微结构。

【技术实现步骤摘要】
转移基板及制备方法、转移装置、转移方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法。
技术介绍
微发光二极管(microlightemittingdiode，MicroLED)显示技术是将传统的显示器件进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成驱动电路，以实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于其亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标均由于传统的显示技术。并且其属于自发光、结构简单、体积小以及节能的优点，被视为下一代显示技术。目前制作Micro-LED显示面板的过程中，首先利用转移基板拾取制备的微发光二极管，再将巨量的微发光二极管转移至接收基板，实现微发光二极管的巨量转移。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的微发光二极管巨量转移在转移过程中普遍存在粘附力低、工艺稳定性差的问题，从而容易导致良率较低，影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种转移基板，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。可选地，所述纳米微结构包括纳米纤维。可选地，所述纳米纤维的材料包括聚二甲基硅氧烷。可选地，所述纳米纤维的直径为300纳米至400纳米。可选地，所述基底与所述纳米微结构为一体成型结构。可选地，所述拾取单元在所述基底上的正投影覆盖待转移的芯片在所述基底上的正投影。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种转移装置，包括如上述提供的转移基板。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种转移基板的制备方法，包括：在单通模板上涂附光刻胶，形成阻挡层；通过光刻工艺，对所述阻挡层进行曝光、显影、刻蚀，形成间隔设置的阻挡结构；在所述阻挡结构上、相邻所述阻挡结构之间所述单通模板的单通孔内涂附吸附材料并固化形成吸附材料层；将所述单通模板和所述阻挡结构进行去除，形成具有多个纳米微结构的拾取单元。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种转移方法，包括：在承载基板上形成多个待转移的芯片；将转移基板与所述承载基板进行对位，将待转移的所述芯片拾取至所述转移基板；所述转移基板中具有多个纳米微结构的拾取单元与待转移的所述芯片一一对应；将所述转移基板与接收基板进行对位，将待转移的所述芯片转移至所述接收基板上；将所述转移基板剥离。可选地，所述将所述转移基板剥离包括：将所述转移基板从一端沿着背离所述接收基板的方向翻折，使得所述纳米微结构与待转移的所述芯片之间呈一定夹角。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种转移基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种转移基板的制备方法的流程示意图；图3a-图3d为本专利技术实施例提供的一种转移基板的制备方法中各步骤对应的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种转移方法的流程示意图；图5a-图5d为本专利技术实施例提供的一种转移方法中各步骤对应的结构示意图。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例一图1为本专利技术实施例提供的一种转移基板的结构示意图，如图1所示，转移基板包括：基底101、以及位于基底101上的多个拾取单元102；拾取单元102与待转移的芯片一一对应；每个拾取单元102包括多个纳米微结构1021。本专利技术实施例提供的转移基板中，拾取单元102可以由多个纳米微结构1021构成，由于纳米微结构1201的结构特性，每个纳米微结构1021上可以形成有一定的范德华力，多个纳米微结构1021可以累积大量的范德华力，并且由多个纳米微结构1021构成的拾取单元102可以与待转移的芯片一一对应，在芯片的巨量转移过程中，多个纳米微结构1021累积的大量的范德华力，可以对待转移的芯片进行吸附并拾取，从而较传统的转移印章增大了拾取单元102与待转移的芯片之间的粘附力，进而可以提高芯片巨量转移的效率和稳定性。可以理解的是，如图1所示，基底101上可以形成有多个凸起结构，可以为作为拾取单元102的基座，拾取单元102可以形成在基座上。在实际应用中，基座与基底101可以采用相同的材料制成，且二者为一体成型结构。具体地，基底101可以采用柔性材料制成。在一些实施例中，纳米微结构1021包括纳米纤维。需要说明的是，纳米微结构1021可以为纳米纤维，多个纳米纤维可以形成与待转移的芯片大小相近团簇结构，从而累积大量的范德华力，在芯片的巨量转移过程中，较现有技术中的巨量转移印章可以形成更大的粘附力，进而可以提高芯片巨量转移的效率和稳定性。可以理解的是，纳米微结构1021的形状可以为纤维状，还可以为圆柱状或方形柱状等其他形状。在一些实施例中，纳米纤维的材料包括聚二甲基硅氧烷。需要说明的是，纳米纤维的材料可以为聚二甲基硅氧烷，为透明材料且与硅基芯片之间具有一定的粘附力，较多的由聚二甲基硅氧烷形成的纳米纤维可以累积大量的范德华力，从而增大与待转移的芯片之间的粘附力，进而提高芯片巨量转移的效率和稳定性。可以理解的是，纳米纤维还可以为其他有机硅材料或者树脂材料，在此不再一一列举，只需要保证纳米纤维上可以累积大量的范德华力即可。在一些实施例中，纳米纤维的直径为300纳米至400纳米。需要说明的是，纳米纤维的直径可以为300微米至400微米，在此范围内，不仅使得纳米纤维上可以累积大量的范德华力，还可以使得纳米纤维具有足够的韧性，保证可以对待转移的芯片实现有效吸附的同时而不断裂。在一些实施例中，基底101与纳米微结构1021为一体成型结构。需要说明的是，基底101可以与纳米微结构1021采用相同的材料一次成型，这样可以减少工艺流程，提高制备效率。当然，基底102与纳米微结构1021也可以单独成型，在保证纳米微结构1021可以累积大量的范德华力的同时，基底101可以采用其他具有一定柔性的材料制备而成。在一些实施例中，拾取单元102在基底101上的正投影覆盖待转移的芯片在基底101上的正投影。需要说明的是，拾取单元102的面积可以等于或大于待转移的芯片的面积，这样，在芯片的转移过程中，拾取单元102可以对待转移的芯片实现有效吸附，从而实现芯片的巨量转移。实施例二基于同一专利技术构思，本专利技术实施例提供了一种转移装置，该转移装置可以用于芯片的巨量转移，包括如上述实施例提供的转移基板，其实现原理与上述转移基板的实现原理相同，在此不再赘述。实施例三图2为本专利技术实施例提供的一种转移基板的制备方法的流程示意图，如图2所示，转移基板的制备方法包括如下步骤：S201，在单通模板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移基板，其特征在于，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。


2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述纳米微结构包括纳米纤维。


3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述纳米纤维的材料包括聚二甲基硅氧烷。


4.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述纳米纤维的直径为300纳米至400纳米。


5.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述基底与所述纳米微结构为一体成型结构。


6.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述拾取单元在所述基底上的正投影覆盖待转移的芯片在所述基底上的正投影。


7.一种转移装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的转移基板。


8.一种转移基板的制备方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：董士豪，麦轩伟，张国才，王大军，闫俊伟，王成飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11