转移基板及制备方法、转移装置、转移方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法，属于显示技术领域，其可解决现有的转移基板与待转移的芯片之间粘附力较低、工艺稳定性差的问题。本发明专利技术的转移基板，包括：基底、以及位于基底上的多个拾取单元；拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个拾取单元包括多个纳米微结构。

【技术实现步骤摘要】
转移基板及制备方法、转移装置、转移方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法。
技术介绍
微发光二极管(microlightemittingdiode，MicroLED)显示技术是将传统的显示器件进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成驱动电路，以实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于其亮度、寿命、对比度、反应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标均由于传统的显示技术。并且其属于自发光、结构简单、体积小以及节能的优点，被视为下一代显示技术。目前制作Micro-LED显示面板的过程中，首先利用转移基板拾取制备的微发光二极管，再将巨量的微发光二极管转移至接收基板，实现微发光二极管的巨量转移。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的微发光二极管巨量转移在转移过程中普遍存在粘附力低、工艺稳定性差的问题，从而容易导致良率较低，影响生产效率。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种转移基板及制备方法、转移装置、转移方法。解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移基板，其特征在于，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，包括：基底、以及位于所述基底上的多个拾取单元；所述拾取单元与待转移的芯片一一对应；每个所述拾取单元包括多个纳米微结构。


2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述纳米微结构包括纳米纤维。


3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述纳米纤维的材料包括聚二甲基硅氧烷。


4.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述纳米纤维的直径为300纳米至400纳米。


5.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述基底与所述纳米微结构为一体成型结构。


6.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述拾取单元在所述基底上的正投影覆盖待转移的芯片在所述基底上的正投影。


7.一种转移装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的转移基板。


8.一种转移基板的制备方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：董士豪，麦轩伟，张国才，王大军，闫俊伟，王成飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11