晶圆组件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆组件及其制作方法，晶圆组件包括：晶圆；支撑环，贴置于所述晶圆的背面边缘区域。本发明专利技术通过在晶圆的背面贴置支撑环，使得晶圆组件中对应于晶圆边缘区域的厚度大于对应于晶圆中心区域的厚度，可以实现对晶圆正面及背面的测试点进行检测；本发明专利技术的支撑环可以防止在制造、搬运及检测时晶圆发生形变和破裂；本发明专利技术的晶圆组件结构简单、成本较低。

【技术实现步骤摘要】
晶圆组件及其制作方法
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种晶圆组件及其制作方法。
技术介绍
在现有半导体工艺中，在对晶圆(wafer)进行加工制备完成后需要对晶圆进行电性测试等，而目前，很多晶圆的正面和背面均有测试点，在进行测试时需要晶圆的正面和背面的测试点均裸露在外。此时，均需要使用Taikowafer以达到晶圆的传输强度及测试要求；Taikowafer的特点为：仅将晶圆的中心部分研磨去除，而在晶圆的边缘保留有3mm～mm的区域不做研磨，从而在晶圆边缘形成一个比晶圆的器件区域(即研磨去除的中心部分)的厚度要厚得多的支撑环。然而，制备Taikowafer的设备昂贵，Takiowafer的成本较高，从而造成生产成本较高。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种晶圆组件及其制作方法，用于解决现有技术中对晶圆正面及背面的测试点进行测试时需要使用Taikowafer而导致的生产成本较高的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种晶圆组件，所述晶圆组件包括：晶圆；支撑环，贴置于所述晶圆的背面边缘区域。可选地，所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。可选地，所述支撑环包括圆形支撑环，所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。可选地，所述晶圆组件还包括：支撑框架，位于所述晶圆的外围；切割胶带，贴置于所述晶圆的背面、所述支撑环上及所述支撑框架上，以将所述晶圆及所述支撑环固定于所述支撑框架上。本专利技术还提供一种晶圆组件的制作方法，所述晶圆的制作方法包括步骤：1)提供一支撑基底；2)提供一晶圆，将所述晶圆正面朝下贴置于所述支撑基底的上表面；3)提供一支撑环，将所述支撑环贴置于所述晶圆的背面边缘区域；4)去除所述支撑基底。可选地，步骤1)中提供的所述支撑基底包括玻璃基底。可选地，步骤2)与步骤3)之间还包括对所述晶圆的背面进行减薄处理的步骤。可选地，步骤3)中提供的所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。可选地，步骤3)中提供的所述支撑环包括圆形支撑环，所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。可选地，步骤4)后还包括如下步骤：5)提供切割胶带及支撑框架；6)将步骤4)所得结构置于所述支撑框架的内侧，并使用所述切割胶带将步骤4)所得结构固定于所述支撑框架上。可选地，步骤4)与步骤5)之间还包括对所述晶圆进行电性测试的步骤。如上所述，本专利技术的晶圆组件及其制作方法，具有以下有益效果：本专利技术通过在晶圆的背面贴置支撑环，使得晶圆组件中对应于晶圆边缘区域的厚度大于对应于晶圆中心区域的厚度，可以实现对晶圆正面及背面的测试点进行检测；本专利技术的支撑环可以防止在制造、搬运及检测时晶圆发生形变和破裂；本专利技术的晶圆组件结构简单、成本较低。附图说明图1显示为本专利技术实施例一中提供的晶圆组件的俯视结构结构示意图。图2显示为图1沿AA方向的截面结构示意图。图3显示为本专利技术实施例一中提供的另一示例的晶圆组件的截面结构示意图。图4显示为本专利技术实施例二中提供的晶圆组件的制作方法的流程图。图5至图10显示为本专利技术实施例二中提供的晶圆组件的制作方法各步骤所得结构的结构面结构示意图。元件标号说明10晶圆11支撑环12支撑框架13切割胶带20支撑基底30测试探针D支撑环的宽度具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一请图1及图2，本实施例提供一种晶圆组件，所述晶圆组件包括：晶圆10；支撑环11，所述支撑环11贴置于所述晶圆10的背面边缘区域。作为示例，所述晶圆10可以包括硅晶圆、氮化镓晶圆等等。所述晶圆10内形成有器件结构(未示出)。所述晶圆10包括器件区域(未示出)及边缘区域(未示出)，所述边缘区域位于所述器件区域的外围，所述器件结构形成于所述器件区域内。作为示例，所述支撑环11可以包括但不仅限于玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈等等。作为示例，所述支撑环11的宽度D可以根据实际需要进行设定，优选地，所述支撑环11的宽度D可以包括3mm～5mm，更为优选地，本实施例中，所述支撑环11的宽度D为3mm。作为示例，所述支撑环11可以包括但不仅限于圆形支撑环，所述支撑环11的外径小于等于所述晶圆10的直径，优选地，本实施例中，所述支撑环11的外径等于所述晶圆10的直径。作为示例，请参阅图3，所述晶圆组件还可以包括：支撑框架12及切割胶带13；其中，所述支撑框架12位于所述晶圆10的外围；所述切割胶带13贴置于所述晶圆10的背面、所述支撑环11上及所述支撑框架12上，以将所述晶圆10及所述支撑环11固定于所述支撑框架12上。作为示例，所述支撑框架12可以包括但不仅限于钢支撑框架。作为示例，所述切割胶带13可以包括蓝膜(Bluetape)，所述切割胶带13与所述晶圆10的背面优选为无缝隙贴合。所述切割胶带13在对所述晶圆10进行切割以得到各个芯片的过程中起到固定保护的作用，使得切割后的各芯片仍然会排列粘贴于所述切割胶带13上。所述支撑框架12用于起到支撑固定所述切割胶带13的作用，用于在切割后避免所述切割胶带13产生褶皱，进而避免芯片之间相互碰撞。本专利技术通过在所述晶圆10的背面贴置所述支撑环11，使得所述晶圆组件中对应于所述晶圆10的边缘区域的厚度大于对应于所述晶圆10的中心区域的厚度，可以实现对所述晶圆10正面及背面的测试点进行检测；本专利技术的所述支撑环11可以防止在制造、搬运及检测时所述晶圆10发生形变和破裂；同时，本专利技术的晶圆组件结构简单、成本较低。实施例二请参阅图4，本专利技术还提供一种晶圆组件的制作方法，所述晶圆的制作方法包括步骤：1)提供一支撑基底；2)提供一晶圆，将所述晶圆正面朝下贴置于所述支撑基底的上表面；3)提供一支撑环，将所述支撑环贴置于所述晶圆的背面边缘区域；4)去除所述支撑基底。在步骤1)中，请参阅图4中的S1步骤及图5，提供一支撑基底20。作为示例，所述支撑基底20可以包括但不仅限于玻璃基底。在步骤2)中，请参阅图4中的S2步骤及图6，提供一晶圆1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆组件，其特征在于，所述晶圆组件包括：/n晶圆；/n支撑环，贴置于所述晶圆的背面边缘区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆组件，其特征在于，所述晶圆组件包括：
晶圆；
支撑环，贴置于所述晶圆的背面边缘区域。


2.根据权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于：所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。


3.根据权利要求1所述的晶圆组件，其特征在于：所述支撑环包括圆形支撑环，所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆组件，其特征在于：所述晶圆组件还包括：
支撑框架，位于所述晶圆的外围；
切割胶带，贴置于所述晶圆的背面、所述支撑环上及所述支撑框架上，以将所述晶圆及所述支撑环固定于所述支撑框架上。


5.一种晶圆组件的制作方法，其特征在于，所述晶圆的制作方法包括步骤：
1)提供一支撑基底；
2)提供一晶圆，将所述晶圆正面朝下贴置于所述支撑基底的上表面；
3)提供一支撑环，将所述支撑环贴置于所述晶圆的背面边缘区域；
4)去除所述支撑基底。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秉隆，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37