【技术实现步骤摘要】
晶圆组件及其制作方法
本专利技术属于半导体
,特别是涉及一种晶圆组件及其制作方法。
技术介绍
在现有半导体工艺中,在对晶圆(wafer)进行加工制备完成后需要对晶圆进行电性测试等,而目前,很多晶圆的正面和背面均有测试点,在进行测试时需要晶圆的正面和背面的测试点均裸露在外。此时,均需要使用Taikowafer以达到晶圆的传输强度及测试要求;Taikowafer的特点为:仅将晶圆的中心部分研磨去除,而在晶圆的边缘保留有3mm~mm的区域不做研磨,从而在晶圆边缘形成一个比晶圆的器件区域(即研磨去除的中心部分)的厚度要厚得多的支撑环。然而,制备Taikowafer的设备昂贵,Takiowafer的成本较高,从而造成生产成本较高。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种晶圆组件及其制作方法,用于解决现有技术中对晶圆正面及背面的测试点进行测试时需要使用Taikowafer而导致的生产成本较高的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种晶圆组件,所述晶圆组件包括
【技术保护点】
1.一种晶圆组件,其特征在于,所述晶圆组件包括:/n晶圆;/n支撑环,贴置于所述晶圆的背面边缘区域。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆组件,其特征在于,所述晶圆组件包括:
晶圆;
支撑环,贴置于所述晶圆的背面边缘区域。
2.根据权利要求1所述的晶圆组件,其特征在于:所述支撑环包括玻璃支撑环、硅支撑环或钢圈。
3.根据权利要求1所述的晶圆组件,其特征在于:所述支撑环包括圆形支撑环,所述支撑环的外径小于等于所述晶圆的直径。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆组件,其特征在于:所述晶圆组件还包括:
支撑框架,位于所述晶圆的外围;
切割胶带,贴置于所述晶圆的背面、所述支撑环上及所述支撑框架上,以将所述晶圆及所述支撑环固定于所述支撑框架上。
5.一种晶圆组件的制作方法,其特征在于,所述晶圆的制作方法包括步骤:
1)提供一支撑基底;
2)提供一晶圆,将所述晶圆正面朝下贴置于所述支撑基底的上表面;
3)提供一支撑环,将所述支撑环贴置于所述晶圆的背面边缘区域;
4)去除所述支撑基底。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:李秉隆,
申请(专利权)人:芯恩青岛集成电路有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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