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本申请公开了一种多晶硅刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离高于有源区，衬底表面依次覆盖有多晶硅层、硬掩膜层、BARC、光阻；根据光阻定义的图形区域，利用四氟化碳气体刻蚀去除部分BARC，被去...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。