温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例公开一种接触孔刻蚀方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括若干堆叠排布的控制栅结构，控制栅结构的至少一侧形成台阶区域，台阶区域内下层控制栅结构侧壁凸出于上层控制栅结构侧壁；半导体结构还包括覆盖台阶区域的介质层；在介质层上形成硬...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。