一种晶圆检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆检测方法，对待测晶圆的多个位置进行检测，得到待测晶圆的检测厚度，而后利用豪斯多夫距离计算检测厚度和基准厚度的相似度，在计算得到相似度之后，利用相似度表征待测晶圆的形貌。这样，不需要通过多个参数表征晶圆的形貌，仅通过相似度一个参数便可以反映出待测晶圆的形貌情况，相似度越小表示待测晶圆的形貌较好，相似度越大表示待测晶圆的形貌较差，从而提高形貌检测的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆检测方法及装置
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆检测方法及装置。
技术介绍
在半导体晶圆的制造过程中，晶圆表面形貌直接影响后续器件加工、键合等工艺的质量，因此需要对晶圆的表面进行检测，目前主要是通过平均量(average)、工程差(range)以及均匀度(NU％或U％)作为监控晶圆膜厚、化学机械研磨去除量、蚀刻制程移除量的参数，从而实现对晶圆表面形貌的检测。此外，现有的晶圆检测方法还通过将晶圆进行切分，切分为不同的半径后，计算每个区域的平均量和工程差，比较各个区域的相对应差值，进而通过差值表征晶圆形貌。但是上述方法均需要大量的参数以表征晶圆的形貌，难以直观有效的监控晶圆的形貌。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种晶圆检测方法及装置，直观反映出晶圆的形貌情况。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种晶圆检测方法，包括：对待测晶圆的多个位置进行检测，得到所述待测晶圆的检测厚度；利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度；利用所述相似度表征所述待测晶圆的形貌。可选的，所述基准厚度为基准晶圆的多个位置的厚度。可选的，在所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度之前，还包括：对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化。可选的，所述对检测厚度进行归一化包括：计算所述检测厚度平均值，根据所述检测厚度以及所述检测厚度的平均值，获得检测比值；所述对基准厚度进行归一化包括：计算所述基准厚度平均值，根据所述基准厚度以及所述基准厚度的平均值，获得基准比值；则，所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度，包括：利用豪斯多夫距离计算所述检测比值和所述基准比值的相似度。可选的，在所述对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化之后，还包括：将所述待测晶圆和所述基准晶圆进行降阶处理。可选的，所述对待测晶圆进行降阶处理包括：对所述待测晶圆进行分区，获取各个分区检测比值的平均值；所述对基准晶圆进行降阶处理包括：对所述基准晶圆进行分区，获取各个分区基准比值的平均值；则，所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度，包括：利用豪斯多夫距离计算所述检测比值的平均值和所述基准比值的平均值的相似度；其中，所述基准晶圆的分区区域与所述待测晶圆的分区区域对应。可选的，所述基准晶圆和所述待测晶圆包括沿径向分布的7个分区，外侧的分区环绕内侧的分区。一种晶圆检测装置，包括：检测单元，用于对待测晶圆的多个位置进行检测，得到所述待测晶圆的检测厚度；计算单元，用于利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度；表征单元，用于利用所述相似度表征所述待测晶圆的形貌。可选的，还包括：归一化单元，用于在所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度之前，对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化。可选的，所述归一化单元，具体用于计算所述检测厚度平均值，根据所述检测厚度以及所述检测厚度的平均值，获得检测比值，以及，计算所述基准厚度平均值，根据所述基准厚度以及所述基准厚度的平均值，获得基准比值；则，所述计算单元，具体用于利用豪斯多夫距离计算所述检测比值和所述基准比值的相似度。可选的，还包括：降阶单元，用于在归一化单元对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化之后，将所述待测晶圆和所述基准晶圆进行降阶处理。本专利技术实施例提供的一种晶圆检测方法，对待测晶圆的多个位置进行检测，得到待测晶圆的检测厚度，而后利用豪斯多夫距离计算检测厚度和基准厚度的相似度，在计算得到相似度之后，利用相似度表征待测晶圆的形貌。这样，不需要通过多个参数表征晶圆的形貌，仅通过相似度一个参数便可以反映出待测晶圆的形貌情况，相似度越小表示待测晶圆的形貌较好，相似度越大表示待测晶圆的形貌较差，从而提高晶圆形貌的检测效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1示出了根据本专利技术实施例晶圆检测方法的流程示意图；图2示出了根据本专利技术实施例晶圆检测方法获得的晶圆检测厚度的示意图；图3示出了根据本专利技术实施例晶圆检测方法对晶圆检测厚度进行归一化后的示意图；图4示出了根据本专利技术实施例晶圆检测方法对归一化数据进行降阶后的示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
的描述，在半导体晶圆的制造过程中，晶圆表面形貌直接影响后续器件加工、键合等工艺的质量，因此需要对晶圆的表面进行检测，目前主要是通过平均量(average)、工程差(range)以及均匀度(NU％或U％)作为监控晶圆膜厚、化学机械研磨去除量、蚀刻制程移除量的参数，从而实现对晶圆表面形貌的检测。此外，现有的晶圆检测方法还通过将晶圆进行切分，切分为不同的半径后，计算每个区域的平均量和工程差，比较各个区域的相对应差值，进而通过差值表征晶圆形貌。但是上述方法均需要大量的参数以表征晶圆的形貌，难以直观有效的监控晶圆的形貌。为此，本申请提出一种晶圆检测方法，对待测晶圆的多个位置进行检测，得到待测晶圆的检测厚度，而后利用豪斯多夫距离计算检测厚度和基准厚度的相似度，在计算得到相似度之后，利用相似度表征待测晶圆的形貌。这样，不需要通过多个参数表征晶圆的形貌，仅通过相似度一个参数便可以反映出待测晶圆的形貌情况，相似度越小表示待测晶圆的形貌较好，相似度越大表示待测晶圆的形貌较差，从而提高晶圆形貌的检测效率。为了更好的理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的说明。参考图1所示，在步骤S101中，对待测晶圆的多个位置进行检测，得到待测晶圆的检测厚度。本申请实施例中，对待测晶圆的多个位置进行检测，得到多个位置的厚度数据。通过多个位置的厚度数据更能反映出整个待测晶圆的厚度情况，进而能够通过对多个厚度数据的处理，获取待测晶圆的形貌，避免单个位置或较少位置的数据对晶圆形貌表征造成较大的偏差。本实施例中，可以采用台阶仪等对待测晶圆进行厚度的检测。本实施例中，可以对待测晶圆的多个位置的厚度分别进行多次检测，分别获取多个位置的厚度平均值，例如可以对待测晶圆的一个位置进行多次检测，获取该位置的多次检测厚度值，将多次检测厚度值取平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括：/n对待测晶圆的多个位置进行检测，得到所述待测晶圆的检测厚度；/n利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度；/n利用所述相似度表征所述待测晶圆的形貌。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括：
对待测晶圆的多个位置进行检测，得到所述待测晶圆的检测厚度；
利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度；
利用所述相似度表征所述待测晶圆的形貌。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基准厚度为基准晶圆的多个位置的厚度。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度之前，还包括：
对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对检测厚度进行归一化包括：
计算所述检测厚度平均值，根据所述检测厚度以及所述检测厚度的平均值，获得检测比值；
所述对基准厚度进行归一化包括：
计算所述基准厚度平均值，根据所述基准厚度以及所述基准厚度的平均值，获得基准比值；
则，所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度，包括：
利用豪斯多夫距离计算所述检测比值和所述基准比值的相似度。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化之后，还包括：
对所述待测晶圆和所述基准晶圆进行降阶处理。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对待测晶圆进行降阶处理包括：
对所述待测晶圆进行分区，获取各个分区检测比值的平均值；
所述对基准晶圆进行降阶处理包括：
对所述基准晶圆进行分区，获取各个分区基准比值的平均值；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凯铭，王政航，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42