一种刻蚀深度的检测方法技术

本发明专利技术涉及微电子测试分析技术领域，具体公开了一种刻蚀深度的检测方法，其中，在待刻蚀槽上方设置敏感模块和至少两根梁，敏感模块包括热敏单元，每根梁的一端与待刻蚀槽的边框连接，另一端与敏感模块连接，每根梁中均包括导线，导线与热敏单元连接，当对待刻蚀槽进行刻蚀时，刻蚀深度的检测方法包括：获取热敏单元在不同气压下的稳态输出电压；根据热敏单元在不同气压下的稳态输出电压得到热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线；根据热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线推导得到转折气压值；根据转折气压与刻蚀深度的关系模型以及转折气压值计算待刻蚀槽的刻蚀深度。本发明专利技术提供的刻蚀深度的检测方法不用破坏器件结构就能准确检测刻蚀深度。

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀深度的检测方法
本专利技术涉及微电子测试分析
，尤其涉及一种刻蚀深度的检测方法。
技术介绍
刻蚀工艺是一项用于制造悬空结构的关键工艺，包括湿法刻蚀和干法刻蚀。由于刻蚀深度会影响器件的性能，因此在刻蚀工艺进行后，需要检测刻蚀深度。目前，常用的刻蚀深度检测方式是通过对刻蚀槽进行裂片后，利用光学显微镜、光学轮廓仪、扫描电子显微镜等设备观测刻蚀槽的剖面开展。这种检测方式对器件具有破坏性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种刻蚀深度的检测方法，解决相关技术中存在的检测方法具有破坏性的问题。作为本专利技术的一个方面，提供一种刻蚀深度的检测方法，其中，在待刻蚀槽上方设置敏感模块和至少两根梁，所述敏感模块包括热敏单元，每根所述梁的一端与所述待刻蚀槽的边框连接，另一端与所述敏感模块连接，每根所述梁中均包括导线，所述导线与所述热敏单元连接，当对所述待刻蚀槽进行刻蚀时，所述刻蚀深度的检测方法包括：获取所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压；根据所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压得到所述热敏单元的稳态输出电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀深度的检测方法，其特征在于，在待刻蚀槽上方设置敏感模块和至少两根梁，所述敏感模块包括热敏单元，每根所述梁的一端与所述待刻蚀槽的边框连接，另一端与所述敏感模块连接，每根所述梁中均包括导线，所述导线与所述热敏单元连接，当对所述待刻蚀槽进行刻蚀时，所述刻蚀深度的检测方法包括：/n获取所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压；/n根据所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压得到所述热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线；/n根据所述热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线推导得到转折气压值；/n根据所述转折气压与刻蚀深度的关系模型以及所述转折气压值计算所述待刻蚀槽的刻蚀深度。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀深度的检测方法，其特征在于，在待刻蚀槽上方设置敏感模块和至少两根梁，所述敏感模块包括热敏单元，每根所述梁的一端与所述待刻蚀槽的边框连接，另一端与所述敏感模块连接，每根所述梁中均包括导线，所述导线与所述热敏单元连接，当对所述待刻蚀槽进行刻蚀时，所述刻蚀深度的检测方法包括：
获取所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压；
根据所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压得到所述热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线；
根据所述热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线推导得到转折气压值；
根据所述转折气压与刻蚀深度的关系模型以及所述转折气压值计算所述待刻蚀槽的刻蚀深度。


2.根据权利要求1所述的刻蚀深度的检测方法，其特征在于，所述刻蚀深度的检测方法包括在所述获取所述热敏单元在不同气压下的稳态输出电压的步骤前进行的：
通过所述导线向所述热敏单元加载自热功率W。


3.根据权利要求2所述的刻蚀深度的检测方法，其特征在于，所述自热功率包括：能够使得所述敏感模块具有恒定温度的电功率，或者，通过恒流电流提供的电功率。


4.根据权利要求3所述的刻蚀深度的检测方法，其特征在于，所述热敏模块具有的恒定温度在20℃～80℃之间，所述恒流电流的电流值在0.1μA～1mA之间。


5.根据权利要求1所述的刻蚀深度的检测方法，其特征在于，所述根据所述热敏单元的稳态输出电压与气压的关系曲线...

【专利技术属性】
技术研发人员：周琼，傅剑宇，侯影，刘超，陈大鹏，
申请(专利权)人：无锡物联网创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32