【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置
本专利技术涉及半导体检测领域，特别是一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置。
技术介绍
半导体集成电路的设计、加工、制造以及生产过程中，由于各种各样的因素导致错误难以完全避免，造成研发进度滞后、产品良品率不高甚至完全报废，损失更是难以估量。设计人员的漏洞导致布局布线的失误、工作条件的差异、原料存在缺陷以及工程师对机器设备的误操作等造成的错误，都是导致电路产生缺陷最终失效的原因。因此检测成为贯穿于集成电路设计、制造、生产中的、保证芯片质量的重要环节。半导体集成电路的制造工艺要求必须经常在基底附着光刻胶材料。在光刻工艺中，显影液将曝光后带有图形的正光刻胶从未曝光的正光刻胶中间均匀且完全去除，以便允许进一步的光刻工艺，这一过程称之为显影。这些图案定义了集成电路不同的功能区域，例如，扩散层，逻辑门区域，接触区域等，从而允许进行必要的离子注入、蚀刻或扩散过程。光刻胶用作掩模材料，在蚀刻期间保护基板表面的选定区域，而蚀刻剂选择性地腐蚀基板上未保护区域。在图形显影后蚀刻前，不仅需...
【技术保护点】
1.一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置，其特征在于：/n包括两个平行设置的线扫相机，其内部分别包括感光元件、成像镜头；两个线扫相机的感光元件长轴平行且共线；/n每个线扫相机的感光元件长轴与其成像镜头的光轴垂直且共面；/n直线运动平台运动方向与成像镜头光轴方向平行；/n还包括两个反射镜和两个光源；/n两个光源入射至硅片后，反射光通过第二反射镜反射之后，再经过第一反射镜分别反射至两个平行设置的成像镜头。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置，其特征在于：
包括两个平行设置的线扫相机，其内部分别包括感光元件、成像镜头；两个线扫相机的感光元件长轴平行且共线；
每个线扫相机的感光元件长轴与其成像镜头的光轴垂直且共面；
直线运动平台运动方向与成像镜头光轴方向平行；
还包括两个反射镜和两个光源；
两个光源入射至硅片后，反射光通过第二反射镜反射之后，再经过第一反射镜分别反射至两个平行设置的成像镜头。
2.根据权利要求1所述的用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置，其特征在于：第一成像镜头的光轴与第二成像镜头的光轴互相平行并且共面。
3.根据权利要求2所述的用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置，其特征在于：第一线扫相机的第一线阵感光元件的长轴与第二线扫相机的第二感光元件的长轴所在的直线与直线运动平台的运动方向互相垂直；第一成像镜头的光轴与第二成像镜头的光轴所构成的平面与直线运动平台的运动方向平行；第二反射镜平行于第一成像镜头的光轴与第二成像镜头的光轴所构成的平面。
4.根据权利要求3所述的用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置，其特征在于：所述的第一光源的入射角等于第一成像镜头的光轴与第二成像镜头的光轴所构成的平面与第一反射镜的夹角。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张运波，高海军，李昂，熊金磊，
申请(专利权)人：江苏匠岭半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。