【技术实现步骤摘要】
EL制程中面板的混色检测方法及装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种EL制程中面板的混色检测方法及装置。
技术介绍
近年来，随着显示水平的不断提高，显示屏的制造技术不断革新，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板逐渐成为了最炙手可热的新兴显示产品。在OLED显示面板的有机电致发光(OrganicElectroluminescence，EL)制程中，需要在薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板上进行有机物的蒸镀。在现有的蒸镀过程中，将金属掩膜版覆盖在TFT阵列基板的表面，再将机物蒸镀至TFT阵列基板上的特定位置。然而，由于TFT阵列基板和金属掩膜版之间存在一定的空隙，而蒸镀区周围一般没有设置用于限制蒸镀范围的阻挡物，所以根据蒸镀沿直线的特性，蒸镀区的范围会扩大，从而引起蒸镀区的阴影效应，进而可能导致OLED显示面板混色现象的产生。现阶段，OLED显示面板在EL制程中的混色检测通常依靠人力目检方式来完成，即，首先通过面板点灯机台对OLED显示面板进行点亮，当OLED显示面板点亮后，再通过面板点灯机台对OLED显示面板进行拍照，最后由工作人员查看照片以判断OLED显示面板是否存在混色。但该种混色检测方式过于主观，容易产生误判，导致检测准确度低。
技术实现思路
本申请实施例提供一种能够提高检测准确度的EL制程中面板的混色检测方法及装置。本申请实施例提供一种EL制程中面板的混色检测方法，包括以下步骤：<...
【技术保护点】
1.一种EL制程中面板的混色检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/n检测面板的第一区域的CIE坐标和第二区域的CIE坐标，其中，所述第一区域位于所述面板的发光面的中心，所述第二区域位于所述发光面且与所述第一区域互不重叠；/n计算所述第二区域的CIE坐标与所述第一区域的CIE坐标之间的差值坐标，其中，所述差值坐标包括若干差值参数；/n比对所述差值坐标与预设的若干混色阈值坐标，其中，每个所述混色阈值坐标包括与若干所述差值参数一一对应的若干混色阈值参数；以及/n根据比对结果判断所述第二区域是否存在混色，其中，若所述比对结果为任一所述差值参数大于任一所述混色阈值坐标中对应的所述混色阈值参数，则判定所述第二区域存在混色，反之则判定所述第二区域不存在混色。/n
【技术特征摘要】
1.一种EL制程中面板的混色检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
检测面板的第一区域的CIE坐标和第二区域的CIE坐标，其中，所述第一区域位于所述面板的发光面的中心，所述第二区域位于所述发光面且与所述第一区域互不重叠；
计算所述第二区域的CIE坐标与所述第一区域的CIE坐标之间的差值坐标，其中，所述差值坐标包括若干差值参数；
比对所述差值坐标与预设的若干混色阈值坐标，其中，每个所述混色阈值坐标包括与若干所述差值参数一一对应的若干混色阈值参数；以及
根据比对结果判断所述第二区域是否存在混色，其中，若所述比对结果为任一所述差值参数大于任一所述混色阈值坐标中对应的所述混色阈值参数，则判定所述第二区域存在混色，反之则判定所述第二区域不存在混色。
2.如权利要求1所述的混色检测方法，其特征在于，还包括以下步骤：
选取不同的所述第二区域重复权利要求1中的所有步骤；
若任意一个所述第二区域存在混色，则判定所述面板存在混色。
3.如权利要求1所述的混色检测方法，其特征在于，所述步骤“检测面板的第一区域的CIE坐标和第二区域的CIE坐标”之前还包括：
将所述发光面均匀划分为M×N个子区域；
将所述发光面的正中心的m×n个所述子区域作为所述第一区域，将除所述第一区域之外的任意一个所述子区域或多个连通的所述子区域的组合作为所述第二区域；
其中，M、N、m、n均为正整数，M大于m，N大于n。
4.如权利要求3所述的混色检测方法，其特征在于，所述步骤“检测面板的第一区域的CIE坐标和第二区域的CIE坐标”包括：
检测所述第一区域中的每个所述子区域的CIE坐标；
将所述第一区域中所有的所述子区域的CIE坐标的平均值坐标作为所述第一区域的CIE坐标。
5.如权利要求1所述的混色检测方法，其特征在于，所述步骤“比对所述差值坐标与预设的若干混色阈值坐标”之前还包括：
为每个所述混色阈值坐标设置对应的优先级；
所述步骤“比对所述差值坐标与预设的若干混色阈值坐标”包括：
按照所述优先级从高到低的顺序，依次比对所述差值坐标和对应的所述混色阈值坐标。
6.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚程，谢威，张毅，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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