一种拉晶方法技术

本发明专利技术提供了一种拉晶方法，涉及太阳能光伏技术领域。所述方法包括：加热炉体内石英坩埚中的原料，形成熔体；对所述熔体进行至少一次除杂处理；对所述炉体进行低压吹拂处理，使气体杂质从所述炉体中排出；提供提拉籽晶，使所述提拉籽晶从所述熔体中提拉单晶。本发明专利技术实施例中，对熔体进行了至少一次除杂，对炉体进行低压吹拂处理，使气体杂质从炉体中排出，进而熔体及炉体中的杂质含量大大降低。基于提粒籽晶从熔体中提拉单晶，由于熔体及炉体中杂质含量较低，易于成晶、极大的减小了断棱概率等，使得单晶硅成品率上升。

【技术实现步骤摘要】
一种拉晶方法
本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种拉晶方法。
技术介绍
单晶硅是制作太阳能电池的主要原料，目前常用的生产工艺为直拉法。直拉法的主要过程为：在热场中，原料熔化，得到熔体，将提粒籽晶插入该熔体中，转动提粒籽晶的同时将提粒籽晶缓慢向上提升，经过引晶、转肩、等径等过程，得到一支单晶硅棒。目前，对单晶硅的需求不断增大，进而对原料的需求量也不断提升。但在原料自身品质方面，特别是纯度方面也是参差不齐。在该情况下，直接基于熔体进行成晶，使得成晶困难、断棱概率大等，导致单晶硅棒成品率下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种拉晶方法，旨在提升单晶硅成品率。所述方法包括：加热炉体内石英坩埚中的原料，形成熔体；对所述熔体进行至少一次除杂处理；对所述炉体进行低压吹拂处理，使气体杂质从所述炉体中排出；提供提拉籽晶，使所述提拉籽晶从所述熔体中提拉单晶。可选的，对所述熔体进行至少一次除杂处理，包括：提供提渣籽晶，使所述提渣籽晶从所述熔体中提取第一未熔料块；所述第一未熔料块包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拉晶方法，其特征在于，所述方法包括：/n加热炉体内石英坩埚中的原料，形成熔体；/n对所述熔体进行至少一次除杂处理；/n对所述炉体进行低压吹拂处理，使气体杂质从所述炉体中排出；/n提供提拉籽晶，使所述提拉籽晶从所述熔体中提拉单晶。/n

【技术特征摘要】
1.一种拉晶方法，其特征在于，所述方法包括：
加热炉体内石英坩埚中的原料，形成熔体；
对所述熔体进行至少一次除杂处理；
对所述炉体进行低压吹拂处理，使气体杂质从所述炉体中排出；
提供提拉籽晶，使所述提拉籽晶从所述熔体中提拉单晶。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述熔体进行至少一次除杂处理，包括：
提供提渣籽晶，使所述提渣籽晶从所述熔体中提取第一未熔料块；所述第一未熔料块包括：所述原料中的第一杂质；
提取所述熔体中的第二未熔料块；所述第二未熔料块包括：所述原料中的第二杂质。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提供提渣籽晶，使所述提渣籽晶从所述熔体中提取第一未熔料块之前，还包括：
使所述第一未熔料块的尺寸达到第一预设尺寸范围。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述提供提渣籽晶，使所述提渣籽晶从所述熔体中提取第一未熔料块，包括：
提供提渣籽晶后，减小所述提渣籽晶与所述石英坩埚的相对距离，使所述提渣籽晶与所述第一未熔料块没入所述熔体中；
静置第一预设时间段范围，使所述第一未熔料块在所述提渣籽晶表面粘接；
增大所述提渣籽晶与所述石英坩埚的相对距离，使粘接有所述第一未熔料块的提渣籽晶与所述熔体脱离。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述提供提渣籽晶后，减小所述提渣籽晶与所述石英坩埚的相对距离，使所述提渣籽晶与所述第一未熔料块没入所述熔体中，包括：
提供提渣籽晶后，上升所述石英坩埚；
降低所述提渣籽晶使所述提渣籽晶与所述第一未熔料块接触，并用预设速度降低所述提渣籽晶，使所述提渣籽晶没入所述熔体中；所述预设速度小于等于设定速度阈值；
所述增大所述提渣籽晶与所述石英坩埚的相对距离，使粘接有所述第一未熔料块的提渣籽晶与所述熔体脱离，包括：
通过上升所述提渣籽晶，增大所述提渣籽晶与所述石英坩埚的相对距离。


6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提取所述熔体中的第二未熔料块之前，还包括：
对所述熔体冷却以析出所述第二未熔料块。


7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述提取所述熔体中的第二未熔料块之前，还包括：
将所述提渣籽晶上的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周嘉浩，白喜军，李强，张亮桢，马志勃，
申请(专利权)人：宁夏隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏;64