单晶硅生长装置及单晶硅生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法，单晶硅生长装置包括：容器，容器为二氧化硅件，容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔，在沿容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大。根据本发明专利技术实施例的单晶硅生长装置，通过将用于容纳硅熔体的容器设置呈在容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大，可以增强容器的保温作用，使得容器内的硅熔体的温度增加，从而可以增加氧的溶解度，从而可以增加硅熔体的氧含量，进而可以增加生长出的单晶硅的氧含量。

【技术实现步骤摘要】
单晶硅生长装置及单晶硅生长方法
本专利技术涉及单晶硅生长
，尤其是涉及一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法。
技术介绍
硅片具有一定的氧含量，能结合器件工艺，形成内吸杂，可以吸除金属杂质，氧杂质还能钉扎位错，提高硅片机械强度。而关于提升单晶硅含氧量的问题却始终在制程中比较不容易解决，尤其是在已经没有外加磁场且制程稳定的产品中。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种单晶硅生长装置，该单晶硅生长装置可以增加利用该单晶硅生长装置生长出的单晶硅中的氧含量。本专利技术还提出了一种单晶硅生长方法。本专利技术还提出了另一种单晶硅生长方法。根据本专利技术第一方面实施例的单晶硅生长装置，包括：容器，所述容器为二氧化硅件，所述容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的壁厚增大。根据本专利技术实施例的单晶硅生长装置，通过将用于容纳硅熔体的容器设置呈在容器的径向向内的方向上，容器的壁厚增大，可以增强容器的保温作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅生长装置，其特征在于，包括：容器，所述容器为二氧化硅件，所述容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的壁厚增大。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅生长装置，其特征在于，包括：容器，所述容器为二氧化硅件，所述容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的壁厚增大。


2.根据权利要求1所述的单晶硅生长装置，其特征在于，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的壁厚呈阶梯式增大。


3.根据权利要求2所述的单晶硅生长装置，其特征在于，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的内壁呈阶梯状结构；和/或，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的外壁呈阶梯状结构。


4.根据权利要求3所述的单晶硅生长装置，其特征在于，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的内壁呈阶梯状结构，所述阶梯状结构的至少一部分位于所述容器的底壁或至少一部分邻近所述硅熔体的泰勒-普鲁德曼涡流处。


5.根据权利要求3所述的单晶硅生长装置，其特征在于，在沿所述容器的径向向内的方向上，所述容器的内壁呈阶梯状结构，所述阶梯状结构包括大致沿所述容器的壁厚方向向内延伸的阶梯面，所述阶梯面沿所述容器的周向延伸，在沿所述容器的径向向内的方向上，相邻两个所述阶梯面之间的距离依次减小。


6.根据权利要求1所述的单晶硅生长装置，其特征在于，所述容器包括多个沿所述容器的壁厚方向叠置的多层子容器，相邻两层所述子容器之间限定出阶梯状结构。


7.根据权利要求1所述的单晶硅生长装置，其特征在于，所述容器的内壁邻近所述硅熔体的泰勒-普鲁德曼涡流的位置形成有凹凸不平结构，所述凹凸不平结构为阶梯状结构或颗粒状结构。


8.根据权利要求1所述的单晶硅生长装置，其特征在于，所述容器包括容器本体和可拆卸地设于所述容器本体的内壁的增氧件，所述增氧件为二氧化硅件，所述增氧件设于所述容器本体的内壁后可增加所述容器的内表面积。


9.根据权利要求1-8中任一项所述的单晶硅生长装置，其特征在于，所述容器的最大壁厚位置邻近所述硅熔体的泰勒-普鲁德曼涡流处。


10.一种单晶硅生长方法，其特征在于，用于生长单晶硅的单晶硅生长装置包括容器，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢哲玮，薛抗美，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32