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本发明公开了一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法,单晶硅生长装置包括:容器,容器为二氧化硅件,容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔,在沿容器的径向向内的方向上,容器的壁厚增大。根据本发明实施例的单晶硅生长装置,通过将用于容纳硅熔体的容器设置呈在...该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种单晶硅生长装置及单晶硅生长方法,单晶硅生长装置包括:容器,容器为二氧化硅件,容器内限定出用于容纳硅熔体的容纳腔,在沿容器的径向向内的方向上,容器的壁厚增大。根据本发明实施例的单晶硅生长装置,通过将用于容纳硅熔体的容器设置呈在...