防止硅料挂边的石英坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防止硅料挂边的石英坩埚，属于单晶硅生产设备技术领域。包括气泡复合外层及透明内层，所述透明内层具有硅液位线，所述透明内层位于所述硅液位线以上的部分涂覆有杂质层。所述杂质层由铝、钡、钛的化合物中的至少一种组成，且所述杂质层的涂覆浓度为10μg/cm

Quartz crucible to prevent silicon material from hanging

【技术实现步骤摘要】
防止硅料挂边的石英坩埚
本技术属于单晶硅生产设备
，具体涉及一种防止硅料挂边的石英坩埚。
技术介绍
石英坩埚通常是Czochralski法(CZ法)拉制单晶硅棒的重要辅件。实际生产中，硅料的装填高度往往超过石英坩埚的液位线，并将大块硅料装填于坩埚上部，如果装料中上部大块硅料与石英坩埚呈面接触，在高温化料过程中，大块硅料会牢牢粘附在石英坩埚上，当底部硅料先融化后，上部大块硅料在重力作用下下拉石英坩埚造成石英坩埚变形，导致拉晶无法继续进行。现有技术中，提供了两种解决石英坩埚与硅料粘附的方案。其一是将BaCO3整体涂覆于整个坩埚的内表面，这种方案虽然能够解决硅料黏连的问题，但是制备BaCO3涂层的工艺难度较高，成本较大。其二是在将BaCO3投入到硅料中，硅料熔融的过程中，在坩埚内表面形成致密的结晶层，从而防止硅料黏连，然而这种方案难以在液位线以上的边沿部位形成结晶层，硅料在坩埚边沿挂料的现象依然存在。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种制备工艺简单、能有效防止硅料在坩埚液位线以上挂料的防止硅料挂边的石英坩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止硅料挂边的石英坩埚，包括气泡复合外层及透明内层，所述透明内层具有硅液位线，其特征在于，所述透明内层位于所述硅液位线以上的部分涂覆有杂质层。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止硅料挂边的石英坩埚，包括气泡复合外层及透明内层，所述透明内层具有硅液位线，其特征在于，所述透明内层位于所述硅液位线以上的部分涂覆有杂质层。


2.如权利要求1所述的防止硅料挂边的石英坩埚，其特征在于，所述杂质层的涂覆浓度为200μg/cm2～500μg/cm2。


3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建军，李常国，邓红，何玉鹏，
申请(专利权)人：宁夏富乐德石英材料有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏;64