一种石英坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种石英坩埚包括坩埚主体以及依次设置在坩埚主体内壁的气泡层、透明层，透明层包括位于尾棒加料液位线上方的上透明分部以及设置在尾棒加料液位线下方的下透明分部，气泡层、透明层在坩埚主体的水平线以上的部分的总厚度处处相等，上透明分部在尾棒加料液位线处与下透明分部连接，且上透明分部的厚度大于下透明分部的厚度。由于液位线处的硅溶液与坩埚壁反应剧烈，通过相对加厚液位线处透明层的厚度，减少了透明层在硅熔液长时期处于高温区时，被腐蚀破损的可能，避免了硅溶液进入气泡层，避免了气泡层的杂质进入硅溶液之中，使得拉晶过程中的晶棒整棒率提升，品质提升，降低了单晶制备成本。

A quartz crucible

【技术实现步骤摘要】
一种石英坩埚
本技术涉及晶硅制造
，特别是涉及一种石英坩埚。
技术介绍
不管是芯片制造还是太阳能电池制备，都需采用单晶硅，单晶硅的制作成本直接影响其使用成本。制备单晶硅的方法有多种，如直拉法、区熔法。由于采用直拉法能够制备大尺寸的硅片，效率更高，因而一般采用直拉法工艺制备单晶硅。而用电弧法制成的半透明石英坩埚是采用直拉法拉制大直径单晶必不可少的基础材料。该石英坩埚分为两层，外侧是一层具有高气泡密度的区域，称为气泡层，内侧则是一层3-10mm的透明层。高温的硅溶液在自然对流和强迫对流的作用下，会与石英坩埚发生反应，而反应最剧烈的区域是硅溶液液面与坩埚壁接触的位置(液位线)。当硅熔液长时期处于高温区时，透明层被硅溶液腐蚀的很严重，硅溶液进入气泡层，杂质就随之进入硅溶液之中，晶棒断线及品质下降也随之而来。在拉制单晶时，往往采用多次复投硅料的做法，增加坩埚使用寿命，节约成本，但是多次复投导致坩埚液位线附近的透明层会被硅溶液严重腐蚀。
技术实现思路
本技术的目的是提供了一种石英坩埚，提高了拉晶过程中的晶棒整棒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石英坩埚，其特征在于，包括坩埚主体以及依次设置在所述坩埚主体内壁的气泡层、透明层，所述透明层包括位于尾棒加料液位线上方的上透明分部以及设置在所述尾棒加料液位线下方的下透明分部，所述气泡层、所述透明层在所述坩埚主体的水平线以上的部分的总厚度处处相等，所述上透明分部在所述尾棒加料液位线处与所述下透明分部连接，且所述上透明分部的厚度大于所述下透明分部的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种石英坩埚，其特征在于，包括坩埚主体以及依次设置在所述坩埚主体内壁的气泡层、透明层，所述透明层包括位于尾棒加料液位线上方的上透明分部以及设置在所述尾棒加料液位线下方的下透明分部，所述气泡层、所述透明层在所述坩埚主体的水平线以上的部分的总厚度处处相等，所述上透明分部在所述尾棒加料液位线处与所述下透明分部连接，且所述上透明分部的厚度大于所述下透明分部的厚度。


2.如权利要求1所述石英坩埚，其特征在于，所述上透明分部的厚度为6mm～20mm。


3.如权利要求2所述石英坩埚，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊，张涛，白枭龙，汪沛渊，何丽珠，刘礼猛，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36