一种新型组合式Z型选晶器制造技术

技术编号:24136698 阅读:44 留言:0更新日期:2020-05-13 09:17
本实用新型专利技术属于精密铸造应用技术领域,具体公开了一种新型组合式Z型选晶器,包括锥形碗状支撑块、第一起晶端定位凸柱、第二起晶端定位凸柱、第一选晶段、第二选晶段、第一过渡段和第二过渡段。本实用新型专利技术的有益效果在于:1、晶粒选晶段中成长的过程中可减小发生杂晶的几率,选晶段采用合适尺寸的直径,既保证选晶效率,又保证选晶段的强度,保证晶粒的顺利成型,选晶段采用了合理的起升角度,可以保证晶粒顺利成长的同时,也可以保证选晶段高度不会过高,从而提高了工作效率;2、两组相配合使用的起晶端、约束段、选晶段和过渡段且尺寸不同,提高了选晶器的制作效率且减小发生杂晶的几率,以及其为组合式结构,便于装配进行高效的选晶作业。

A new type of combined Z-type crystal concentrator

【技术实现步骤摘要】
一种新型组合式Z型选晶器
本技术属于精密铸造应用
,具体涉及一种新型组合式Z型选晶器。
技术介绍
镍基高温合金因具有良好的机械性能,被广泛应用于航空、航天、航海以及能源化工等领域,镍基单晶高温合金更是以其优异的高温力学性能成为先进航空发动机设计的首选材料。但是工业生产中,单晶高温合金涡轮叶片因取向偏离、杂晶、缩松等凝固缺陷的存在而导致其废品率较高,因而这些凝固缺陷成为单晶高温合金研究的主要问题,而选晶过程则是造成晶体取向偏离以及杂晶等缺陷形成的主要原因之一,但是目前对选晶法制备镍基单晶高温合金过程中的选晶机制还不是很清楚、对选晶器的设计还依靠经验、尚未建立选晶阶段与缺陷形成的相关性。在单晶制备过程中应尽量降低选晶器的高度,从而保证叶片的长度和降低凝固缺陷形成的倾向,但是当选晶器引晶段高度较低时,引晶段内晶粒取向优化效果并不明显,会导致最终单晶取向较差;当选晶器选晶段的高度太低(选晶段参数不合适)又会影响选晶过程的顺利进行,造成通道内杂晶的形成,从而影响最终单晶的质量,甚至会导致选晶过程的失败,不能获得单晶组织。因此,在选晶法制备镍本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型组合式Z型选晶器,其特征在于:包括锥形碗状支撑块(1),及设置在锥形碗状支撑块(1)内的定位孔(18),及卡入定位孔(18)内的支撑柱(3),及与支撑柱(3)另一端相配合使用的定位圈(2),其中,定位圈(2)内设置有与支撑柱(3)另一端连接的辅助定位孔(19),及分别与锥形碗状支撑块(1)底面两侧外壁连接的第一起晶端(4)、第二起晶端(11),及分别与第一起晶端(4)、第二起晶端(11)一端端部连接的第一锥形约束端(5)、第二锥形约束端(12),及分别与第一锥形约束端(5)、第二锥形约束端(12)一端端部连接的第一圆柱形约束端(6)、第二圆柱形约束端(13),及分别与第一圆柱形约束...

【技术特征摘要】
1.一种新型组合式Z型选晶器,其特征在于:包括锥形碗状支撑块(1),及设置在锥形碗状支撑块(1)内的定位孔(18),及卡入定位孔(18)内的支撑柱(3),及与支撑柱(3)另一端相配合使用的定位圈(2),其中,定位圈(2)内设置有与支撑柱(3)另一端连接的辅助定位孔(19),及分别与锥形碗状支撑块(1)底面两侧外壁连接的第一起晶端(4)、第二起晶端(11),及分别与第一起晶端(4)、第二起晶端(11)一端端部连接的第一锥形约束端(5)、第二锥形约束端(12),及分别与第一锥形约束端(5)、第二锥形约束端(12)一端端部连接的第一圆柱形约束端(6)、第二圆柱形约束端(13),及分别与第一圆柱形约束端(6)、第二圆柱形约束端(13)一端端部连接的第一辅助锥形约束端(7)、第二辅助锥形约束端(14),及分别与第一辅助锥形约束端(7)、第二辅助锥形约束端(14)连接的第一起晶端定位凸柱(8)、第二起晶端定位凸柱(15),及分别与第一起晶端定位凸柱(8)、第二起晶端定位凸柱(15)一端端部连接的第一选晶段(9)、第二选晶段(16),及分别与第一选晶段(9)、第二选晶段(16)一端端部连接的第一过渡段(10)、第二过渡段(17),其中,第一起晶端(4)、第一锥形约束端(5)、第一圆柱形约束端(6)、第一辅助锥形约束端(7)、第一起晶端定位凸柱(8)、第一选晶段(9)、第一过渡段(10)之间均通过空腔连接,所述第二起晶端(11)、第二锥形约束端(12)、第二圆柱形约束端(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱鑫涛朱德本刘杰朱玉棠
申请(专利权)人:泰州市金鹰精密铸造有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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