一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法，包括装配平台，装配平台的一侧设置有垂直支撑杆，垂直支撑杆上从下至上依次活动连接有第一水平支撑杆和第二水平支撑杆，第一水平支撑杆和第二水平支撑杆上均设置有刻度，第一水平支撑杆的端部通过引下管夹连接有引下管，第二水平支撑杆的端部通过铂金坩埚定位管夹连接有铂金坩埚定位管，所述铂金坩埚定位管下部穿插在引下管中，铂金坩埚定位管中活动连接有铂金坩埚。本发明专利技术可以有效避免因装炉误差所导致所生长的晶体取向偏差大的问题，从而可以提高晶体生长质量。

【技术实现步骤摘要】
一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法
本专利技术属于人工晶体生长设备领域，具体涉及一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置及方法。
技术介绍
采用坩埚下降法生长单晶的过程中，为了获得所需取向的单晶，常常要控制几个方面的影响因素：1)籽晶本身的取向，根据要求需选用与所需晶体取向偏差较小的籽晶；2)晶体生长炉以及坩埚升降平台应经过水平校正；3)下降轨道应经过垂直校正。然而在实际的晶体生长过程中即使严格控制了以上几方面的影响因素，仍会发生晶体取向与所需取向偏差较大的情况，这通常是由于在铂金坩埚装入引下管时所产生的装配误差造成的。如图1所示，常见的铂金坩埚的装配失误有倾斜、水平偏移和垂直偏移等几种，这都是由于在铂金坩埚装入引下管时，二者的装配精度不足造成的。如图1中(b)所示，倾斜的装配失误将导致单晶生长后与所需晶体取向的较大偏角；如图1中(c)所示，水平偏移装配失误将使得单晶生长处于偏离单晶生长炉热场中心的情况，一侧靠近加热棒，而另一侧则远离加热棒，会使得单晶生长温场不均匀，易产生杂晶等缺陷；如图1中(d)所示，垂直装配失误将导致坩埚与测温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置，其特征在于，包括装配平台(1)，装配平台(1)的一侧设置有垂直支撑杆(2)，垂直支撑杆(2)上从下至上依次活动连接有第一水平支撑杆(4)和第二水平支撑杆(9)，第一水平支撑杆(4)和第二水平支撑杆(9)上均设置有刻度，第一水平支撑杆(4)的端部通过引下管夹(5)连接有引下管(13)，第二水平支撑杆(9)的端部通过铂金坩埚定位管夹(10)连接有铂金坩埚定位管(7)，所述铂金坩埚定位管(7)下部穿插在引下管(13)中，铂金坩埚定位管(7)中活动连接有铂金坩埚(16)。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置，其特征在于，包括装配平台(1)，装配平台(1)的一侧设置有垂直支撑杆(2)，垂直支撑杆(2)上从下至上依次活动连接有第一水平支撑杆(4)和第二水平支撑杆(9)，第一水平支撑杆(4)和第二水平支撑杆(9)上均设置有刻度，第一水平支撑杆(4)的端部通过引下管夹(5)连接有引下管(13)，第二水平支撑杆(9)的端部通过铂金坩埚定位管夹(10)连接有铂金坩埚定位管(7)，所述铂金坩埚定位管(7)下部穿插在引下管(13)中，铂金坩埚定位管(7)中活动连接有铂金坩埚(16)。


2.根据权利要求1所述的一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置，其特征在于，第一水平支撑杆(4)上设置有第一气泡水平仪(3)，第二水平支撑杆(9)上设置有第二气泡水平仪(8)，装配平台(1)上设置有第三气泡水平仪(6)。


3.根据权利要求1所述的一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置，其特征在于，铂金坩埚定位管(7)内部装配有定位管标尺(11)。


4.根据权利要求1所述的一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置，其特征在于，垂直支撑杆(2)、第一水平支撑杆(4)和第二水平支撑杆(9)均为方形管结构，且第一水平支撑杆(4)和第二水平支撑杆(9)穿插在垂直支撑杆(2)上。


5.根据权利要求1所述的一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的装置，其特征在于，铂金坩埚定位管(7)由两个半圆管组成，两个半圆管通过铂金坩埚定位管夹(10)调节松紧。


6.一种提高铂金坩埚在引下管中装配精度的方法，采用权利要求1所述的一种提高铂金坩埚在引下管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭海生，宋克鑫，王富贵，徐卓，李飞，栾鹏，庄永勇，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61