用于混合组装的结构和包括该结构的装置的优化制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体结构(100)的制造方法，该半导体结构(100)旨在通过混合方式组装至第二支撑件(201)。该半导体结构(100)包括有源层(115)，该有源层包括氮化的半导体。该方法包括：形成至少一个第一插入件主体和至少一个第二插入件主体(145A、145B、146A、146B)的步骤，并且在此步骤中，形成与支撑表面(101、110、111、112、113、121、131)接触的镍层(148)；以及对有源层(111、112、113)进行局部物理化学刻蚀的步骤，该有源层(111、112、113)的包括有源区域(115)的部分受镍层(148)保护。

【技术实现步骤摘要】
用于混合组装的结构和包括该结构的装置的优化制造方法
本专利技术涉及半导体装置的领域，并且更具体地，涉及光电装置。本专利技术的目的是一种制造旨在通过混合(hybridisation)方式组装到支撑件的半导体结构的方法，以及一种制造包括结构和支撑件的装置的方法，其中该结构通过混合方式组装到该支撑件。
技术介绍
一些半导体装置的制造可能需要例如通过混合方式的操作，以在半导体结构与专用支撑件之间建立连接。这对于光电装置尤其如此，对于所述光电装置而言，所述结构可以由一种或者几种称为III-V型材料的半导体材料制成，并且所述支撑件由硅制成，可能包括基于C-MOS类型技术的用于所述结构的控制电路。尤其是通过文献WO2006/054005和WO2009/115686已知，可以通过提供具有插入件的结构和具有由延展性导电材料制成的突起的支撑件来进行这种连接，该连接是通过将插入件插入到由延展性导电材料制成的所述突起中来实现的。适于这种连接的结构(换而言之，包括所述插入件)通常在几个共同的步骤中制造，通过这些步骤，可以在同一支撑件上制造多个结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构(100)的制造方法，所述半导体结构(100)旨在通过混合方式连接至第二支撑件(200)，所述半导体结构(100)的制造方法包括以下步骤：/n-提供包括衬底(101)和至少一个有源层(111、112、113)的第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)，所述有源层(111、112、113)包括至少一种氮化的半导体材料，所述半导体结构(100)的至少一个有源区域(115)以及所述有源区域(115)的至少一个第一连接区域和至少一个第二连接区域布置在所述有源层(111、112、113)中，所述有源区域(115)的所述第一连接区域和所述第二连接区域与所述第一...

【技术特征摘要】
20181228 FR 18743621.一种半导体结构(100)的制造方法，所述半导体结构(100)旨在通过混合方式连接至第二支撑件(200)，所述半导体结构(100)的制造方法包括以下步骤：
-提供包括衬底(101)和至少一个有源层(111、112、113)的第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)，所述有源层(111、112、113)包括至少一种氮化的半导体材料，所述半导体结构(100)的至少一个有源区域(115)以及所述有源区域(115)的至少一个第一连接区域和至少一个第二连接区域布置在所述有源层(111、112、113)中，所述有源区域(115)的所述第一连接区域和所述第二连接区域与所述第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)的表面齐平；
-形成分别与所述第一连接区域和所述第二连接区域电接触的至少一个第一插入件主体(145A、146A)和至少一个第二插入件主体(145B、146B)，所述形成步骤包括形成覆盖所述第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)的一部分表面的镍层(147)，所述镍层(147)布置在所述有源区域(115)处的支撑表面(101、110、111、112、113、121、131)上，至少部分地覆盖所述第一连接区域和所述第二连接区域，
-对所述有源层(111、112、113)进行局部物理化学蚀刻，通过所述镍层(147)保护所述有源层(111、112、113)的包括所述有源区域(115)的部分来提供局部蚀刻，
-对所述镍层(147)进行物理化学蚀刻，在释放所述镍层(147)中的所述第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)的至少一部分表面之后停止蚀刻，所述第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)的该部分表面包括所述第一支撑件(101、110、111、112、113、121、131)的在所述第一连接区域和所述第二连接区域之外的表面，所述镍层(147)的剩余部分以及所述第一插入件主体(145A、146A)和所述第二插入件主体(145B、146B)中的每一个用于形成第一插入件(142A、143A)和第二插入件(142B、143B)，
-从所述第一衬底(101)释放所述有源层(111、112、113)，所述释放使得能够形成所述半导体结构(100)。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，用于形成所述第一插入件(142A、143A)和所述第二插入件主体(142B、143B)的步骤包括以下子步骤：
-形成金属层(148)的分别覆盖所述第一连接区域和所述第二连接区域的至少第一部分和第二部分，
-形成分别与所述金属层(148)的所述第一部分和所述第二部分接触的第一插入件主体(145A、146A)和第二插入件主体(145B、146B)，
-沉积与所述支撑表面(101、110、111、112、113、121、131)、所述金属层(148)的所述第一部分和所述第二部分、以及所述第一插入件主体(145A、146A)和所述第二插入件主体(145B、146B)接触的所述镍层(147)，所述镍层(147)形成所述第一插入件主体(145A、146A)和所述第二插入件主体(145B、146B)的涂层。


3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·伯纳德，
申请(专利权)人：法国原子能源和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：法国;FR