【技术实现步骤摘要】
一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺
本专利技术涉及单晶硅太阳能电池
，尤其涉及一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺。
技术介绍
晶硅太阳电池技术迭代带来的成本下降逐步成为推动行业发展的主要动力，近两年来，光伏行业电池技术经历了从常规BSF电池→PERC电池→PERC+LDSE电池的转换，其中PERC+LDSE电池工艺流程为：制绒→扩散→激光SE→刻蚀→背钝化→正面PECVD→背面PECVD→激光开槽→丝网印刷→烧结→测试，该电池技术与相近的PERC电池相比，在扩散工序之前只增加了一道激光SE工序，其余工序不变。激光SE工序是采用扩散工序产生的磷硅玻璃层作为掺杂源，利用激光的热效应，熔融硅片表层，将覆盖在发射极顶部的磷硅玻璃中的P原子进入硅片表层，因磷原子在液态硅中的扩散系数要比在固态硅中的扩散高数个数量级，固化后掺杂磷原子取代硅原子的位置，从而使电池片在金属电极下形成高掺杂区域，在接收光照的区域浅扩散形成低掺杂区，这种结构表面少子复合少，金属电极和发射极之间又能形成良好的欧姆接触，会获得更高的短路...
【技术保护点】
1.一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1：进舟：将硅片清洗、制绒后，放入石英舟，并推入扩散炉的炉管内；/n步骤S2：抽真空侧漏：将扩散炉内抽真空到100mbar，通入氮气，排除炉管内的废气；/n步骤S3：升温低浓度预氧化：将扩散炉升温到680~780℃，通入氧气和氮气，对硅片进行升温低浓度预氧化；/n步骤S4：恒温高浓度预氧化：将扩散炉升温并控制在780~800℃，通入氧气和氮气，对硅片进行恒温高浓度预氧化；/n步骤S5：低温高浓度氧气沉积：通入氮气和氧气，对硅片进行低温高浓度磷源沉积；/n步骤S6：升温高浓度氧气沉积：根据步骤...
【技术特征摘要】
1.一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：进舟：将硅片清洗、制绒后，放入石英舟，并推入扩散炉的炉管内；
步骤S2：抽真空侧漏：将扩散炉内抽真空到100mbar，通入氮气，排除炉管内的废气；
步骤S3：升温低浓度预氧化：将扩散炉升温到680~780℃，通入氧气和氮气，对硅片进行升温低浓度预氧化；
步骤S4：恒温高浓度预氧化：将扩散炉升温并控制在780~800℃，通入氧气和氮气，对硅片进行恒温高浓度预氧化；
步骤S5：低温高浓度氧气沉积：通入氮气和氧气，对硅片进行低温高浓度磷源沉积；
步骤S6：升温高浓度氧气沉积：根据步骤S4的扩散炉温度，将扩散炉升温到790~810℃，通入氮气和氧气，对硅片进行升温高浓度磷源沉积；
步骤S7：升温推进：将扩散炉快速升温到830~870℃，通入氮气；
步骤S8：恒温推进：保持扩散炉温度，通入氮气；
步骤S9：降温出舟：将扩散后的硅片从扩散炉中取出。
2.根据权利要求1所述的一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺，其特征在于，所述步骤S2中，所述抽真空侧漏时间控制在350~450s，扩散炉温度控制在550~700℃。
3.根据权利要求1所述的一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺，其特征在于，所述步骤S3中，所述氧气的体积流量为500~1000sccm，所述氮气为大氮1000~2000sccm，所述低浓度预氧化的时间控制在300~400s。
4.根据权利要求1所述的一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺，其特征在于，所述步骤S4中，所述氧气的体积流量为1000~2000sccm，所述氮气为大氮500~1500sccm，所述高浓度预氧化的时间控制在200~300s。
5.根据权利要求1所述的一种PERC叠加SE的高开压扩散高方阻工艺，其特征在于，所述步骤S5中，所述氧气的体积流量为700~1500sccm，通入的氮气包括大氮和小氮，所述大氮的体积流量为500~1000sccm，所述小氮的体积流量为500~1000sccm，磷源瓶的压力控制在600~800mbar，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张逸凡，王英杰，赵壮，李文龙，金杭，韦祖路，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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