一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺及太阳能单晶PERC电池制造技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域。本发明专利技术公开了一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺，其通过调整背面镀膜工艺，并且不同的背面镀膜工艺与电注入工艺进行匹配，其既能保证具有较高效率，并且还能降低单晶PERC电池CID现象；本发明专利技术还公开了一种太阳能单晶PERC电池，其由上述降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺制得。本发明专利技术工艺能够提高钝化膜的质量减少复合，提高单晶PERC电池的看PID性能，还能生成稳定的硼氧氢，降低单晶PERC电池的CID现象。

【技术实现步骤摘要】
一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺及太阳能单晶PERC电池
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺及太阳能单晶PERC电池。
技术介绍
单、多晶PERC电池都存在较高的LID(LightInducedDegradation，光致衰减)现象与常规的单、多晶电池相比，近年LID得到较好的控制，但是一种新型衰减现象LeTID(LightelevatedTemperatureInducedDegradation，光热衰减，又名电致衰减，简称CID，)被广泛关注，且一些单位要求单晶PERC电池片CID平均值≤1.8％，单片最大值≤2.5％。LID，也就是光致衰减，其衰减速度较快，在几天内就可以达到饱和，衰减的主要原因是硅材料内的硼氧缺陷对，晶体生长方向的差异，导致单晶硅材料间隙氧含量远高于多晶，使得单晶硅电池衰减高于多晶硅电池。PERC电池背面采用了钝化工艺，提高了少子寿命，电池效率大幅度提高,但是硼氧缺陷对造成的光衰也相应的增加；CID光热衰减则比较复杂，此衰减最先发现在多晶上，而后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺，包括碱制绒、低压扩散、激光掺杂、湿法刻蚀、氧化退火、ALD双面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开窗、丝网印刷、烧结和电注入等步骤，其特征在于：/n所述背面镀膜步骤具体为，/n1）将通过ALD方式双面沉积氧化铝后的单晶硅片送入到PECVD设备中进行背镀膜工艺；/n2）制备第一层氧化硅膜：通入硅烷500～1000sccm，笑气5000～7000sccm，射频电源功率为5000～8000W，压力为150～250pa，工艺时间为10～30s；/n3）制备第二层氮化硅膜：通入氨气9000～12000sccm，硅烷900～1200sccm，射频电源功率为12...

【技术特征摘要】
1.一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺，包括碱制绒、低压扩散、激光掺杂、湿法刻蚀、氧化退火、ALD双面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开窗、丝网印刷、烧结和电注入等步骤，其特征在于：
所述背面镀膜步骤具体为，
1）将通过ALD方式双面沉积氧化铝后的单晶硅片送入到PECVD设备中进行背镀膜工艺；
2）制备第一层氧化硅膜：通入硅烷500～1000sccm，笑气5000～7000sccm，射频电源功率为5000～8000W，压力为150～250pa，工艺时间为10～30s；
3）制备第二层氮化硅膜：通入氨气9000～12000sccm，硅烷900～1200sccm，射频电源功率为12000～14500W，压力为150～200pa，工艺时间为450～600s；
4）制备第三层氮化硅膜：通入氨气4500～6500sccm，硅烷900～1200sccm，射频电源功率为13000～14500W，压力为150～200pa，工艺时间为350～500s；
5）制备第四层氮化硅膜：通入氨气2700～3600sccm，硅烷900～1200sccm，射频电源功率为13000～14500W，压力为200～250pa，工艺时间为100～250s。


2.根据权利要求1所述的一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺，其特征在于：
所述电注入步骤具体为，
a）将经过丝网印刷、烧结后的电池片，叠放入电注入设备中；
b）进行电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵颖，厉文斌，郑正明，陈健生，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33