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本发明属于太阳能电池技术领域。本发明公开了一种降低太阳能单晶PERC电池CID的工艺，其通过调整背面镀膜工艺，并且不同的背面镀膜工艺与电注入工艺进行匹配，其既能保证具有较高效率，并且还能降低单晶PERC电池CID现象；本发明还公开了一种太阳...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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