红外光吸收体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种红外光谱吸收体的制备方法，其中，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；对所述碳纳米管阵列远离基底的一侧进行干法刻蚀以截短碳纳米管，使每根碳纳米管剩余的部分的长度基本相同。

【技术实现步骤摘要】
红外光吸收体的制备方法
本专利技术涉及一种红外光吸收体的制备方法，特别涉及一种基于碳纳米管阵列的红外光吸收体的制备方法。
技术介绍
红外光是介于微波与可见光之间的电磁波，太阳的热量主要通过红外光传到地球。同时，自然界的任何物体都是红外光辐射源，时时刻刻都在不停地向外辐射红外光。目前，红外光主要应用在军事、医疗领域，如侦察敌情、诊断疾病等。但是，广泛存在的红外光仍没有被充分和有效利用，因此，研究能够充分吸收红外光的吸收体并能将红外光方便应用是十分必要的。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种能够充分吸收红外光的吸收体的制备方法。一种红外光谱吸收体的制备方法，其中，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；对所述碳纳米管阵列远离基底的一侧进行干法刻蚀以截短碳纳米管，使每根碳纳米管剩余的部分的长度基本相同。相较于现有技术，本专利技术提供的红外光吸收体的制备方法具有以下有益效果：通过直接沿着碳纳米管阵列的生长方向进行刻蚀处理，碳纳米管阵列表面散乱的横向碳纳米管被去除，从而得到一具有平整表面的碳纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外光吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；/n对所述碳纳米管阵列远离基底的一侧进行干法刻蚀以截短碳纳米管，使每根碳纳米管剩余的部分的长度基本相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外光吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；
对所述碳纳米管阵列远离基底的一侧进行干法刻蚀以截短碳纳米管，使每根碳纳米管剩余的部分的长度基本相同。


2.如权利要求1所述红外光吸收体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列的高度为200微米～400微米。


3.如权利要求1所述红外光吸收体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管为多壁碳纳米管。


4.如权利要求1所述红外光吸收体的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列的生长方向垂直于所述基底的表面。


5.如权利要求1所述红外光吸收体的制备方法，其特征在于，刻蚀所述碳纳米管阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：王营城，黄忠政，金元浩，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11