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本发明涉及一种红外光谱吸收体的制备方法，其中，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；对所述碳纳米管阵列远离基底的一侧进行干法刻蚀以截短碳纳米管，使每根碳纳米管剩余的部分的长度基本相同。...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。

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