一种背照式光电器件的背面处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种背照式光电器件的背面处理工艺，包括以下步骤：对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度；该工艺采用机械减薄以及化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面，可以减少背照式光电器件的背面加工对CMP设备的需求，降低光电器件背面处理的成本，提高光电器件的制造效率，因此较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种背照式光电器件的背面处理工艺
本公开的至少一种实施例涉及半导体光电器件的加工工艺
，具体涉及一种背照式光电器件的背面处理工艺。
技术介绍
传统的背照式光电器件的背面处理工艺为：在将背照式光电器件制作完成后，首先将背照式光电器件的背面机械减薄至一定厚度，然后采用CMP(化学机械抛光)工艺将背照式光电器件进一步减薄到指定厚度，同时通过CMP工艺消除背照式光电器件的背面由于机械减薄产生的缺陷层。鉴于CMP工艺要利用价格昂贵的CMP设备中进行，其成本较高，因而CMP工艺常常应用于8寸以上的背照式光电器件的大规模生产流水线。CMP工艺也可用于生产4寸及6寸规格的背照式光电器件，不过由于背照式光电器件的生产具有属于小批量、定制化的特点，生产4寸及6寸规格的背照式光电器件的一般为规模较小的厂家，其很少具备负担使用CMP设备加工背照式光电器件的能力，故一般不采用CMP工艺生产该种规格的背照式光电器件。因此有必要提供一种适合小批量生产和研发的背照式光电器件的背面处理工艺。
技术实现思路
本公开的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。本公开的至少一种实施例提供一种背照式光电器件的背面处理工艺，该方法可以减少对CMP机台的需求，降低光电器件背面处理的成本，较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。本公开的至少一种实施例提供一种背照式光电器件的背面处理工艺，包括以下步骤：对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度。根据本公开一个方面的实施例，对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度包括以下步骤：清洗背照式光电器件；测量所述背照式光电器件的厚度；在所述背照式光电器件的正面黏贴保护膜；将所述背照式光电器件通过石蜡粘附至磨盘；将所述磨盘安装至减薄机；采用减薄机对所述背照式光电器件进行机械减薄直至所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度。根据本公开一个方面的实施例，机械减薄后的背照式光电器件的所需厚度为120μm-200μm。根据本公开的一种实施例，采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光包括以下步骤：将硝酸溶液和氢氟酸溶液置入腐蚀槽中，配制成腐蚀抛光液；将机械减薄后的背照式光电器件置入腐蚀槽中以使所述背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应；将所述背照式光电器件从腐蚀槽中取出；测量背照式光电器件的厚度以及背照式光电器件的背面粗糙度；判断背照式光电器件的厚度是否达到要求的厚度以及背照式光电器件的背面粗糙度是否达到要求的表面粗糙度；若背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度，则结束对背照式光电器件的背面的化学减薄和化学抛光；反之，则将背照式光电器件置入腐蚀槽中以使所述背照式光电器件的背面继续与所述腐蚀抛光液发生化学反应，直至所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度。根据本公开的一种实施例，将机械减薄后的背照式光电器件置入腐蚀槽中以使所述背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应包括以下步骤：将机械减薄后的背照式光电器件盛放在镂空容器中；将所述镂空容器置于腐蚀槽中以使所述镂空容器中的背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应；在所述镂空容器中的背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应的同时，晃动所述镂空容器以消除所述背照式光电器件周围的气泡。根据本公开的一种实施例，采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光还包括以下步骤：在机械减薄后的背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应一段时间后，向所述腐蚀槽中置入硝酸溶液和氢氟酸溶液中的至少一种，以调节机械减薄后的背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应的速率。根据本公开的另一种实施例，在采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光之前还具有以下步骤：将包括机械减薄后的背照式光电器件的磨盘从所述减薄机上取下；将机械减薄后的背照式光电器件从所述磨盘上取下；去除机械减薄后的背照式光电器件的正面的保护膜；采用丙酮清洗机械减薄后的背照式光电器件以去除机械减薄后的背照式光电器件上的石蜡；在清洗后的机械减薄后的背照式光电器件的正面黏贴保护膜。根据本公开的一种实施例，所述硝酸溶液的浓度为70％，所述氢氟酸溶液的浓度为50％，所述硝酸溶液和所述氢氟酸溶液的体积比例范围为(2-3)∶(7-8)。根据本公开的另一种实施例，机械减薄后的背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应的速率范围为：0.5μm/min-0.8μm/min。根据本公开的又一种实施例，经过化学减薄和化学抛光后的背照式光电器件的要求的厚度范围为50μm-150μm，经过化学减薄和化学抛光后的背照式光电器件的背面的要求的表面粗糙度为不大于1μm。本公开的上述各种实施例提出了一种背照式光电器件的背面处理工艺，采用机械减薄和化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面，可以减少对CMP机台的需求，降低光电器件背面处理的成本，提高光电器件的制造效率，较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。通过下文中参照附图对本公开所作的描述，本公开的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本公开有全面的理解。附图说明图1显示根据本公开的实施例的一种背照式光电器件的背面处理工艺的流程示意图；图2显示经过本公开的实施例的背照式光电器件的背面处理工艺的机械减薄后的背照式光电器件的结构示意图。附图标记：1-背照式光电器件，2-保护膜，3-机械损伤层。具体实施方式下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体专利技术构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。根据本公开的总体上的专利技术构思，一种背照式光电器件的背面处理工艺，包括以下步骤：对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度。图1显示根据本公开的实施例的一种背照式光电器件的背面处理工艺的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式光电器件的背面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；/n采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度。/n

【技术特征摘要】
1.一种背照式光电器件的背面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：
对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；
采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度。


2.根据权利要求1所述的背照式光电器件的背面处理工艺，其特征在于，对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度包括以下步骤：
清洗背照式光电器件；
测量所述背照式光电器件的厚度；
在所述背照式光电器件的正面黏贴保护膜；
将所述背照式光电器件通过石蜡粘附至磨盘；
将所述磨盘安装至减薄机；
采用减薄机对所述背照式光电器件进行机械减薄直至所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度。


3.根据权利要求1所述的背照式光电器件的背面处理工艺，其特征在于，机械减薄后的背照式光电器件的所需厚度为120μm-200μm。


4.根据权利要求1所述的背照式光电器件的背面处理工艺，其特征在于，采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光包括以下步骤：
将硝酸溶液和氢氟酸溶液置入腐蚀槽中，配制成腐蚀抛光液；
将机械减薄后的背照式光电器件置入腐蚀槽中以使所述背照式光电器件的背面与所述腐蚀抛光液发生化学反应；
将所述背照式光电器件从腐蚀槽中取出；
测量背照式光电器件的厚度以及背照式光电器件的背面粗糙度；
判断背照式光电器件的厚度是否达到要求的厚度以及背照式光电器件的背面粗糙度是否达到要求的表面粗糙度；
若背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度，则结束对背照式光电器件的背面的化学减薄和化学抛光；反之，则将背照式光电器件置入腐蚀槽中以使所述背照式光电器件的背面继续与所述腐蚀抛光液发生化学反应，直至所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度。


5.根据权利要求4所述的背照式光电器件的背面处理工艺，其特征在于，将机械减薄后的背照式光电器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文剑，张清军，邹湘，龚义岩，
申请(专利权)人：清华大学，同方威视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11