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本发明涉及一种半导体结构(100)的制造方法，该半导体结构(100)旨在通过混合方式组装至第二支撑件(201)。该半导体结构(100)包括有源层(115)，该有源层包括氮化的半导体。该方法包括：形成至少一个第一插入件主体和至少一个第二插入件...该专利属于法国原子能源和替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能源和替代能源委员会授权不得商用。
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本发明涉及一种半导体结构(100)的制造方法，该半导体结构(100)旨在通过混合方式组装至第二支撑件(201)。该半导体结构(100)包括有源层(115)，该有源层包括氮化的半导体。该方法包括：形成至少一个第一插入件主体和至少一个第二插入件...