用于微电子器件的具有保护层的管芯贴合表面铜层制造技术

通过以下方法形成微电子器件(400)：从衬底(404)的管芯贴合表面(406)使微电子器件(400)的衬底(404)薄化；以及在衬底(404)的管芯贴合表面(406)上形成含铜层(420)。在含铜层(420)上形成保护金属层(468)。随后，将含铜层(420)贴合到具有封装管芯安装区域(434)的封装构件(428)。在将含铜层(420)贴合到封装构件(428)之前，可能可选地移除保护金属层(468)。替代地，当将含铜层(420)贴合到封装构件(428)时，保护金属层(468)可留在含铜层(420)上。

Copper layer on the bonding surface of tube core with protective layer for microelectronic devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于微电子器件的具有保护层的管芯贴合表面铜层
本专利技术一般来说涉及微电子器件，且更具体来说涉及微电子器件中的金属层。
技术介绍
一些微电子器件在其衬底的管芯贴合表面上具有金属层，以提供低电阻电连接或热连接。由于铜的高导电性和导热性，铜是金属层的期望元素。然而，衬底的管芯贴合表面上的铜存在污染、氧化和腐蚀问题。在管芯贴合表面上集成铜层对于集成到微电子器件的制作流程中来说已成为挑战。
技术实现思路
一种形成微电子器件的方法包含以下步骤：从衬底的管芯贴合表面使微电子器件的衬底薄化；在衬底的管芯贴合表面上形成含铜层；在含铜层上形成保护金属层；且随后在封装管芯安装区域处将含铜层贴合到封装构件。在将含铜层贴合到封装构件之前，可能可选地移除保护金属层。附图说明图1是组装在封装中的示例性微电子器件的剖视图。图2A至2I是在示例性形成方法的各阶段绘示的微电子器件的视图。图3A至3H是在另一示例性形成方法的各阶段绘示的微电子器件的视图。图4A至4F是在又一示例性形成方法的各阶段绘示的微电子器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子器件，包括：/n衬底，具有组件表面和与所述组件表面相对定位的管芯贴合表面；/n组件，位于所述组件表面附近；/n含铜层，位于所述管芯贴合表面上，所述含铜层从所述管芯贴合表面的横向周边凹陷；以及/n管芯贴合材料，位于所述含铜层上，其中所述含铜层通过所述管芯贴合材料贴合到封装构件。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171005 US 62/568,463;20180519 US 15/984,3431.一种微电子器件，包括：
衬底，具有组件表面和与所述组件表面相对定位的管芯贴合表面；
组件，位于所述组件表面附近；
含铜层，位于所述管芯贴合表面上，所述含铜层从所述管芯贴合表面的横向周边凹陷；以及
管芯贴合材料，位于所述含铜层上，其中所述含铜层通过所述管芯贴合材料贴合到封装构件。


2.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述含铜层的厚度为5微米到10微米。


3.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括位于所述含铜层与所述管芯贴合表面之间的中间层。


4.根据权利要求3所述的微电子器件，其中所述中间层包含钛。


5.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括位于所述含铜层与所述管芯贴合材料之间的保护金属层，所述保护金属层包含选自由锡、银和镍构成的群组的至少一种金属。


6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述管芯贴合材料包含焊料。


7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中所述衬底的厚度为15微米到300微米。


8.一种形成微电子器件的方法，所述方法包括：
提供衬底晶片，所述衬底晶片具有组件面和与所述组件面相对定位的管芯贴合面，所述衬底晶片包含位于所述组件面附近的所述微电子器件的组件；
在所述管芯贴合面处从所述衬底晶片移除材料；
在所述管芯贴合面上形成含铜层，其中所述含铜层从所述微电子器件的区域的横向周边凹陷；以及
通过镀覆工艺在所述含铜层上形成保护金属层。


9.根据权利要求8所述的方法，其中所述保护金属层包含选自由锡、银和镍构成的群组的至少一种金属。


10.根据权利要求8所述的方法，其中：
在从所述衬底晶片移除所述材料之前，所述衬底晶片的厚度大于300...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·D·马纳克，N·戴德万德，S·F·帕沃内，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US