卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置制造方法及图纸

技术编号:24694096 阅读:67 留言:0更新日期:2020-06-27 12:54
卡盘结构物的卡盘板可以放置于加热盘上,可以在上面支撑晶片,可以将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,可以为了利用真空力吸附所述晶片而具有真空孔及真空槽,其中,所述真空孔上下贯通,所述真空槽配备于所述卡盘版的下部面,并被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘。

Chuck plate, chuck structure with chuck plate and welding device with chuck structure

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置
本专利技术涉及卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置,更详细而言,涉及一种用于固定晶片的卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置。
技术介绍
最近,为了应对半导体封装等电子部件的小型化要求,开发了层叠多个电子部件而形成层叠晶元封装的技术。所述层叠晶元封装作为在封装基板上层叠有晶元的半导体封装,可以实现高集成化。所述层叠晶元封装在晶元级(chiplevel)或晶片级(waferlevel)上进行製造。为了在所述晶元级或晶片级上製造层叠晶元封装,执行对晶元与晶元或晶片与晶片或晶元与晶片施加热和压力并焊接所需的作业,将执行这种作业的装置称为焊接装置。所述焊接装置在利用卡盘结构支撑所述晶元的状态下,利用焊接头在所述晶片上层叠所述晶元,利用焊接头对所述晶片和晶元进行热压焊接。所述卡盘结构物由内置发热体的加热盘及将所述加热盘中发生的热传递给所述晶片的卡盘板构成。所述卡盘板由导热率高的氮化铝材质构成,因而可以容易地急速加热所述晶片。但是,由于所述卡盘板的导热率高,因而在所述焊接工序中始终预热所述晶片时,发生所述晶片与所述晶元之间的软钎焊物质被压碎的现象。因此,会在所述晶片与所述晶元之间发生焊接不良。所述卡盘结构物为了真空吸附所述晶片而具有真空孔。所述真空孔以所述卡盘结构物的中心为基准呈辐射状形成,因而位于最外侧的真空孔之间的间隔相对较宽。因此,所述卡盘结构物的边缘部位的真空吸附力相对较低,所述晶片会无法完全贴紧所述卡盘结构物。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供一种卡盘板,其导热率相对较低,位于最外侧的真空孔的间隔相对较窄地配备。本专利技术提供一种具有所述卡盘板的卡盘结构物。本专利技术提供一种具有所述卡盘结构物的焊接装置。技术方案根据本专利技术的卡盘板可以放置于加热盘上,可以在上面支撑晶片,可以将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,可以为了利用真空力吸附所述晶片而具有真空孔及真空槽,其中,所述真空孔上下贯通,所述真空槽配备于所述卡盘版的下部面,并被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘。根据本专利技术的一实施例,所述卡盘板可以利用在氧化铝中添加了钛的材质构成,以使所述卡盘板具有比氮化铝导热率低的导热率。根据本专利技术的一实施例,可以在所述卡盘板中相对于所述氧化铝100重量份添加了所述钛10至20重量份。根据本专利技术的一实施例,所述卡盘板的导热率可以为5W/m·k至20W/m·k。根据本专利技术的一实施例,为了使所述晶片也在所述卡盘板的边缘贴紧,位于所述卡盘板的最外侧的真空孔的间隔可以配置为相比于所述最外侧位于内侧的真空孔的间隔窄。根据本专利技术的卡盘结构物可以包括:加热盘,其内置有借由从外部施加的电源而发热的发热体,并且为了提供真空力而具有延伸至上部面的第一真空管线及第二真空管线;以及卡盘板,其放置于所述加热盘上,在上面支撑晶片,将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,并且所述卡盘板具有:第三真空管线,为了利用所述真空力吸附所述晶片而与所述第一真空管线连接;以及真空槽,配备于所述开盘版的下部面而与所述第二真空管连接,并且被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘。根据本专利技术的一实施例,所述第三真空管线可以包括:真空槽,其以与所述第一真空管线连接的方式配备于所述卡盘板的下部面,被所述卡盘板的下部面和所述加热盘的上部面限定而形成空间;以及多个真空孔,其贯通所述卡盘板,从而从形成有所述真空槽的下部面延伸至所述卡盘板的上部面。根据本专利技术的一实施例,所述第一真空管线可以包括:真空槽,其以与所述第三真空管线连接的方式配备于所述加热盘上部面,被所述卡盘板的下部面和所述加热盘的上部面限定而形成空间;以及多个真空孔,其贯通所述加热盘而从下部面延长至形成有所述真空槽的上部面。根据本专利技术的一实施例,在所述加热盘的上部面和所述卡盘板的下部面中任意一面可以配备有定位销,在剩余一面可以配备有用于容纳所述定位销并对所述加热盘和所述卡盘板进行排列的收容槽。根据本专利技术的一实施例,卡盘结构物还可以包括:引导环,其卡接于沿着所述加热盘的上面边缘形成的槽,引导所述加热盘的外围;以及夹具,其以覆盖所述卡盘板的上部面边缘的状态固定于所述引导环,以使所述卡盘板贴紧于所述加热盘而固定。根据本专利技术的一实施例,所述夹具可以放置于沿着所述卡盘板的上面边缘形成的槽,以使所述夹具的上面与所述卡盘板的上面位于相同的高度。根据本专利技术的一实施例,为了防止通过所述加热盘及所述卡盘板的侧面的热损失,所述引导环及所述夹具可以以导热率比所述卡盘板低的材质构成。根据本专利技术的焊接装置可以利用卡盘结构物及焊接头构成,其中,所述卡盘结构物包括:加热盘,其内置有借由从外部施加的电源而发热的发热体,并且为了提供真空力而具有延伸至上部面的第一真空管线及第二真空管线;以及卡盘板,其放置于所述加热盘上,在上面支撑晶片,将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,并且所述卡盘板具有:第三真空管线,为了利用所述真空力吸附所述晶片而与所述第一真空管线连接;以及真空槽,配备于所述开盘版的下部面而与所述第二真空管连接,并且被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘,其中,所述焊接头配备于所述卡盘结构物上,固定及加热晶元,焊接于所述晶片。根据本专利技术的一实施例,所述焊接头可以包括:底座块;加热块,其配备于所述底座块上,内置有用于借由从外部接入的电源而发热并加热所述晶元的发热体,为了提供真空力而具有延伸至上部面的第四真空管线及第五真空管线;以及吸附板,其借助于所述第四真空管线的真空力而固定于所述加热块上,为了利用真空力固定所述晶元而具有与所述第五真空管线连接的真空孔。技术效果本专利技术的卡盘板由在氧化铝添加了钛的材质构成,因而所述卡盘板的导热率低于氮化铝。因此,即使在晶片和晶元的焊接工序中始终预热所述晶片,也可以防止所述晶片与所述晶元之间的软钎焊物质被压碎的现象。因此,可降低所述晶片与所述晶元之间的焊接不良率。所述卡盘板的位于最外侧的真空孔之间的间隔,比位于与所述最外侧相比更内侧的真空孔之间的间隔相对更窄。因此,即使在所述卡盘结构物的边缘部位,所述晶片也可以完全地贴紧所述卡盘结构物。所述卡盘板可以利用真空力而与加热盘贴紧。因此,所述卡盘板无需另外的连结构件便能够固定于所述加热盘。另外,只解除所述真空力,便可分离所述加热盘和所述卡盘板并进行更换。因此,可以迅速地执行卡盘结构物的维护。所述卡盘结构物将所述加热盘中发生的热借由卡盘板传递给晶片。借助于所述卡盘板传递的热,所述晶片可以以始终既定的温度加热。因此,可以将所述晶元有效地焊接于所述晶片。本专利技术的焊接装置可以利用所述卡盘结构物,将所述晶元稳定地焊接于所述晶片。附图说明图1是用于说本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种卡盘板,其特征在于,/n放置于加热盘上,在上面支撑晶片,将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,为了利用真空力吸附所述晶片而具有真空孔及真空槽,/n其中,所述真空孔上下贯通,所述真空槽配备于所述卡盘版的下部面,并被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171109 KR 10-2017-01485371.一种卡盘板,其特征在于,
放置于加热盘上,在上面支撑晶片,将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,为了利用真空力吸附所述晶片而具有真空孔及真空槽,
其中,所述真空孔上下贯通,所述真空槽配备于所述卡盘版的下部面,并被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘。


2.根据权利要求1所述的卡盘板,其特征在于,
所述卡盘板利用在氧化铝中添加了钛的材质构成,以使所述卡盘板具有比氮化铝导热率低的导热率。


3.根据权利要求2所述的卡盘板,其特征在于,在所述卡盘板中相对于所述氧化铝100重量份添加了所述钛10至20重量份。


4.根据权利要求2所述的卡盘板,其特征在于,所述卡盘板的导热率为5W/m·k至20W/m·k。


5.根据权利要求1所述的卡盘板,其特征在于,为了使所述晶片也在所述卡盘板的边缘贴紧,位于所述卡盘板的最外侧的真空孔的间隔配置为相比于所述最外侧位于内侧的真空孔的间隔窄。


6.一种卡盘结构物,其特征在于,包括:
加热盘,其内置有借由从外部施加的电源而发热的发热体,并且为了提供真空力而具有延伸至上部面的第一真空管线及第二真空管线;以及
卡盘板,其放置于所述加热盘上,在上面支撑晶片,将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片,以加热所述晶片,并且所述卡盘板具有:第三真空管线,为了利用所述真空力吸附所述晶片而与所述第一真空管线连接;以及真空槽,配备于所述开盘版的下部面而与所述第二真空管连接,并且被所述加热盘的上部面限定而形成空间,以真空吸附于所述加热盘。


7.根据权利要求6所述的卡盘结构物,其特征在于,
所述第三真空管线包括:
真空槽,其以与所述第一真空管线连接的方式配备于所述卡盘板的下部面,被所述卡盘板的下部面和所述加热盘的上部面限定而形成空间;以及
多个真空孔,其贯通所述卡盘板,从而从形成有所述真空槽的下部面延伸至所述卡盘板的上部面。


8.根据权利要求6所述的卡盘结构物,其特征在于,
所述第一真空管线包括:
真空槽,其以与所述第三真空管线连接的方式配备于所述加热盘上部...

【专利技术属性】
技术研发人员:南成龙郑仁荣
申请(专利权)人:美科陶瓷科技有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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