用于极端翘曲晶片的衬底处置设备制造技术

本发明专利技术提供一种衬底处置设备。所述衬底处置设备可包含叉形结构，其具有经布置以提供对衬底的背面的接取的一或多个支撑部分。所述衬底处置设备还可包含经配置以将所述衬底处置设备耦合到所述衬底的所述背面的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在放置于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件上之后，所述衬底可倾斜或斜靠以沿所述叉形结构产生至少一第三被动接触点。产生至少一第三被动接触点可提高翘曲衬底的衬底处置及控制能力。

Substrate processing equipment for extreme warpage wafer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于极端翘曲晶片的衬底处置设备相关申请案的交叉参考本申请案根据35U.S.C.§119(e)的规定主张名叫巴拉吉·拉加万(BalajeeRaghavan)及安德烈·雅科夫列夫(AndreyYakovlev)的专利技术者在2017年10月27日申请的标题为“用于极端翘曲硅晶片的处置装置的末端效应器(ENDEFFECTORFORHANDLINGDEVICEFOREXTREMEWARPEDSILICONWAFERS)”的序列号为62/578,251的美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术大体上涉及样本检验，且更特定来说，本专利技术涉及一种用于处置翘曲衬底的衬底处置设备。
技术介绍
半导体样本检验需要小心处置例如硅晶片的样本。然而，先前晶片处置方法无法适当处置各种形状及大小的晶片。例如，先前处置方法无法处置例如翘曲300mm晶片的翘曲晶片。先前晶片处置方法可包含边缘接触法、3X真空吸盘法及重力法。边缘接触处置法无法处置各种样本衬底厚度以导致不稳定处置。类似地，3X真空吸盘法无法有效处置各种晶片形状(其包含翘曲晶片)。最后，在重力法下，处置工具无法高速移动，从而导致低生产率。因此，期望提供一种解决上述先前方法的一或多处不足的系统及方法。
技术实现思路
根据本专利技术的一或多个实施例来揭示一种衬底处置设备。在一个实施例中，所述衬底处置设备包含叉形结构。在另一实施例中，所述叉形结构包含第一支撑部分及第二支撑部分。在另一实施例中，所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于支撑结构上。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在一个实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的多个被动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置使得所述衬底的重心定位于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件的前面。根据本专利技术的一或多个实施例来揭示一种衬底处置设备。在一个实施例中，所述衬底处置设备包含叉形结构。在一个实施例中，所述叉形结构包含第一支撑部分及第二支撑部分。在另一实施例中，所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于支撑结构上。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的一或多个被动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置使得所述衬底的重心定位于所述第一吸取元件及所述第二吸取元件的前面。根据本专利技术的一或多个实施例来揭示一种用于处置衬底的系统。在一个实施例中，所述系统包含卡盘。在另一实施例中，所述系统包含衬底处置装置。在另一实施例中，所述衬底处置装置包含具有第一支撑部分及第二支撑部分的叉形结构。在另一实施例中，所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于所述卡盘上。在另一实施例中，所述衬底处置装置包含安置于所述叉形结构上的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间。在另一实施例中，所述衬底处置装置包含安置于所述叉形结构上的一或多个被动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置使得所述衬底的重心定位于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件的前面。应理解，以上一般描述及以下详细描述两者仅是示范性及解释性的且不一定限制本专利技术。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明本专利技术的实施例且与一般描述一起用于解释本专利技术的原理。附图说明所属领域的技术人员可通过参考附图来更好地理解本专利技术的众多优点，其中：图1A说明根据本专利技术的一或多个实施例的衬底处置设备的俯视图；图1B说明根据本专利技术的一或多个实施例的衬底处置设备的仰视图；图2说明根据本专利技术的一或多个实施例的衬底处置系统的俯视图；图3说明根据本专利技术的一或多个实施例的衬底处置系统的简化示意图；及图4说明根据本专利技术的一或多个实施例的处置衬底的方法的流程图。具体实施方式已相对于本专利技术的特定实施例及具体特征来特别展示及描述本专利技术。本文所陈述的实施例被视为具说明性而非限制性。所属领域的一般技术人员应易于明白，可在不背离本专利技术的精神及范围的情况下对形式及细节作出各种改变及修改。现将详细参考附图中所说明的所揭示标的物。大体上参考图1A到4，根据本专利技术的一或多个实施例来描述用于处置衬底的系统及方法。本专利技术的实施例涉及一种衬底处置设备，其经配置以处置包含翘曲衬底的各种衬底形状及大小。本专利技术的额外实施例是针对一种衬底处置设备，其包含叉形结构、第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在此应注意，本专利技术的衬底处置设备能够安全及高效率地处置各种形状及大小的衬底以借此减少污染及提高生产率。图1A说明根据本专利技术的一或多个实施例的衬底处置设备100的俯视图。在一个实施例中，衬底处置设备100包含叉形结构102。叉形结构102可包含(但不限于)基座104、一或多个支撑部分106、一或多个主动支撑元件108、一或多个被动支撑元件110及一或多个附接结构112。在一个实施例中，衬底处置设备100经配置以处置衬底101。衬底处置设备100可经配置以将衬底101接收于衬底处置设备100的顶面上以处置及/或转移衬底101。在此方面，可在处于操作中时(例如在衬底处置设备100处置及/或转移衬底101时)将衬底101的背面放置于衬底处置设备的顶面上(在图1A中描绘)。另外，在此应注意，图1A中的衬底101的虚线说明视图“看穿”衬底101以看到衬底101下方的衬底处置设备100。衬底101可包含所属
中已知的任何衬底，其包含(但不限于)晶片、掩模、光罩、硅晶片、碳化硅晶片、复合材料晶片及类似物。例如，衬底101可包含半导体晶片。例如，衬底101可包含硅晶片。如本文先前所述，衬底处置设备100可经配置以处置各种大小、形状及/或厚度的衬底101。例如，衬底处置设备100可经配置以处置具有300mm的直径及200到1500μm的厚度的衬底101。在另一实例中，衬底处置设备100可经配置以处置具有5mm的翘曲度的衬底101。在又另一实例中，衬底处置设备100可经配置以处置具有不均匀随机厚度的随机翘曲衬底101。叉形结构102可包含基座104。在一个实施例中，基座104包含经配置以将衬底处置设备100附接到处置工具(其包含(但不限于)机器人、可致动机械臂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底处置设备，其包括：/n叉形结构，其包含第一支撑部分及第二支撑部分，其中所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于支撑结构上；/n第一主动支撑元件及第二主动支撑元件，其安置于所述叉形结构上，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间；及/n多个被动支撑元件，其安置于所述叉形结构上，其中所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置而使得所述衬底的重心定位于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件的前面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171027 US 62/578,251;20181001 US 16/148,4981.一种衬底处置设备，其包括：
叉形结构，其包含第一支撑部分及第二支撑部分，其中所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于支撑结构上；
第一主动支撑元件及第二主动支撑元件，其安置于所述叉形结构上，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间；及
多个被动支撑元件，其安置于所述叉形结构上，其中所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置而使得所述衬底的重心定位于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件的前面。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置以在将所述衬底放置于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件上时引起所述衬底与所述多个被动支撑元件的部分之间的接触。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一主动支撑元件包括第一吸取元件，且所述第二主动支撑元件包括第二吸取元件。


4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一吸取元件及所述第二吸取元件通过所述叉形结构的一或多个真空通道来流体地耦合到真空。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个被动支撑元件包括多个支撑垫。


6.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个支撑垫中的至少一些经纹理化。


7.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个支撑垫中的至少一些是电绝缘的。


8.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个被动支撑元件包括：
一或多个第一支撑垫，其安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分上；及
一或多个第二支撑垫，其安置于所述叉形结构的所述第二支撑部分上。


9.根据权利要求8所述的设备，其中所述多个被动支撑元件进一步包括：
一或多个额外支撑垫，其安置于所述叉形结构的额外支撑部分上，其中所述额外支撑区段形成所述叉形结构的基座。


10.根据权利要求1所述的设备，其中所述支撑结构包括处理工具或特征化工具中的至少一者的卡盘。


11.根据权利要求1所述的设备，其中所述支撑结构包括晶片转移装置的支撑结构。


12.根据权利要求11所述的设备，其中所述晶片转移装置包括前开式晶片传送盒FOUP。


13.根据权利要求1所述的设备，其中叉形结构机械地耦合到可致动机械臂。


14.根据权利要求1所述的设备，其中衬底包括晶片。


15.根据权利要求14所述的设备，其中晶片具有凸形形状、凹形形状或鞍形形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·拉加万，A·雅科夫列夫，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US