【技术实现步骤摘要】
半导体加工系统及其维护方法
本专利技术涉及一种半导体制造领域，尤其涉及一种半导体加工系统及其维护方法。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition；PVD)和化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition；CVD)是半导体工业中广泛使用的薄膜制造技术。例如，典型的CVD制程是在一定工艺温度下，在晶圆表面发生化学反应和/或化学分解，以在晶圆上产生薄膜。在沉积过程中，加工设备的反应腔室内部温度较高，即使在工艺结束阶段和取片阶段，反应腔室内部温度也可能高达350℃，因此需要在反应腔室中连接冷却管道，并向冷却管道中通入冷却液体以对反应腔室进行冷却。当需要对此类加工设备进行检修(如发生故障时)或周期性维护时，通常需要先将反应腔室拆卸开。然而，当将反应腔室拆卸开后，冷却管道中残留的冷却液体容易流出。尤其，冷却液体通常采用乙二醇或全氟聚醚等有机溶液时，流出的冷却液体会对反应腔室造成污染，腐蚀反应腔室内的密封圈等重要部件，甚至会造成反应腔室内部短路。
技术实现思路
有鉴于...
【技术保护点】
1.一种半导体加工系统，其特征在于：包括：/n加工腔室；以及/n液冷装置，包括：/n热交换器；/n冷却回路，连接所述加工腔室以及所述热交换器，所述冷却回路用于在所述加工腔室以及所述热交换器之间循环冷却液体；/n气体源，通过第一截止阀以及止回阀连接于所述冷却回路；以及/n至少一接头，设置于所述冷却回路中，所述接头用于在断开时产生断口；/n其中，所述气体源用于在所述第一截止阀开启时向所述冷却回路中填充气体，使得所述气体将所述冷却回路位于所述加工腔室的部分中残留的冷却液体自所述断口处排出，所述止回阀用于防止所述冷却液体回流至所述气体源中。/n
【技术特征摘要】
20181213 US 62/778,9701.一种半导体加工系统，其特征在于：包括：
加工腔室；以及
液冷装置，包括：
热交换器；
冷却回路，连接所述加工腔室以及所述热交换器，所述冷却回路用于在所述加工腔室以及所述热交换器之间循环冷却液体；
气体源，通过第一截止阀以及止回阀连接于所述冷却回路；以及
至少一接头，设置于所述冷却回路中，所述接头用于在断开时产生断口；
其中，所述气体源用于在所述第一截止阀开启时向所述冷却回路中填充气体，使得所述气体将所述冷却回路位于所述加工腔室的部分中残留的冷却液体自所述断口处排出，所述止回阀用于防止所述冷却液体回流至所述气体源中。
2.如权利要求1所述的半导体加工系统，其特征在于，所述加工腔室包括腔体以及盖合于所述腔体上的盖体；
所述冷却回路包括连接所述热交换器与所述盖体的第一冷却段，所述至少一接头包括设置于所述第一冷却段的第一接头。
3.如权利要求2所述的半导体加工系统，其特征在于，所述第一接头与所述热交换器之间还设有第二截止阀。
4.如权利要求2所述的半导体加工系统，其特征在于，所述冷却回路还包括连接所述腔体以及所述盖体的第二冷却段，所述至少一接头还包括设置于所述第二冷却段的第二接头。
5.如权利要求4所述的半导体加工系统，其特征在于，所述冷却回路还...
【专利技术属性】
技术研发人员：金暻台，金志勋，徐康元，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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