一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座，包括外基座、内基座和衬底固定座，所述内基座设置在外基座中，衬底固定座设置在内基座中；所述外基座、内基座、衬底固定座均呈圆形结构，且三者中轴线相互重合；所述外基座内部中空，设置有调节腔，所述内基座设置在调节腔中；所述内基座整体呈“凸”字形结构，在调节腔中设置有调节螺杆和限位导杆，所述调节螺杆、限位导杆均从内基座上穿过；所述内基座的上表面开有安装沉槽，所述衬底固定座设置在安装沉槽中，且衬底固定座尺寸与安装沉槽尺寸相互配合；本实用新型专利技术通过将传统基座拆分为内外基座，且二者能够上下调节位置，从而调节衬底的位置；设置衬底固定座，便于衬底的取放。

A stable rotating base for epitaxial furnace

【技术实现步骤摘要】
一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座
本技术涉及外延炉配件
，具体为一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座。
技术介绍
外延炉用于外延晶片采用CVD(化学气相沉积)方法生长的装置，具体方法为将衬底置于外延炉反应室中，将含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室，借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜。随着半导体技术的进步，产业应用对外延晶片的参数指标要求越来越高，并且外延晶片逐渐在向厚膜大尺寸方向迈进，这对于外延片厚度及浓度的均匀性提出了更高的要求。为了得到较好的片内及片间均匀性，商业化的外延炉通常采用小盘自旋转的方式进行外延生长。而且，为了在较短时间内得到更高的外延厚度，部分外延炉通过增加小盘旋转速度，使得衬底在高速旋转下进行外延生长，能够得到很快的生长速率现有的衬底都放置在基座上，在转动过程中可能从基座上甩出，且基座功能较为单一，无法调节基座的位置，在使用时造成不便；同时，基座都是固定设置，衬底放置上去之后，也不便于取出。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座，以解决上述背景技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座，其特征在于：包括外基座(1)、内基座(2)和衬底固定座(3)，所述内基座(2)设置在外基座(1)中，衬底固定座(3)设置在内基座(2)中；所述外基座(1)、内基座(2)、衬底固定座(3)均呈圆形结构，且三者中轴线相互重合；所述外基座(1)内部中空，设置有调节腔(11)，所述内基座(2)设置在调节腔(11)中；所述内基座(2)整体呈“凸”字形结构，在调节腔(11)中设置有调节螺杆(12)和限位导杆，所述调节螺杆(12)和限位导杆均从内基座(2)上穿过；所述内基座(2)的上表面开有安装沉槽(21)，所述衬底固定座(3)设置在安装沉槽(21)中，且衬底固定座(...

【技术特征摘要】
1.一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座，其特征在于：包括外基座(1)、内基座(2)和衬底固定座(3)，所述内基座(2)设置在外基座(1)中，衬底固定座(3)设置在内基座(2)中；所述外基座(1)、内基座(2)、衬底固定座(3)均呈圆形结构，且三者中轴线相互重合；所述外基座(1)内部中空，设置有调节腔(11)，所述内基座(2)设置在调节腔(11)中；所述内基座(2)整体呈“凸”字形结构，在调节腔(11)中设置有调节螺杆(12)和限位导杆，所述调节螺杆(12)和限位导杆均从内基座(2)上穿过；所述内基座(2)的上表面开有安装沉槽(21)，所述衬底固定座(3)设置在安装沉槽(21)中，且衬底固定座(3)尺寸与安装沉槽(21)尺寸相互配合，衬底固定座(3)中设置有衬底放置槽(31)。


2.根据权利要求1所述的一种外延炉用稳定性好的旋转放置基座，其特征在于：所述调节螺杆(12)设置有两根，关于外基座(1)中轴线中心对称设置，所述限位导杆设置有四根，绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：王光余，
申请(专利权)人：无锡盈格科科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32