【技术实现步骤摘要】
具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置
本专利技术涉及半导体制造装置，尤其是涉及一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置。
技术介绍
一般而言，半导体制造装置在晶片上选择性且反复地执行扩散、蒸镀、显影、蚀刻、离子注入等工艺来进行加工处理。在这样的制造工艺中，蚀刻、扩散、蒸镀工艺等在密闭的工艺腔室内在规定的氛围下投入工艺气体，从而在工艺腔室内的晶片上发生反应。例如，用于形成薄膜的蒸镀工艺利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)方法或者等离子体强化化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)方法等来执行。图1是示出现有技术的用于进行CVD工艺处理的半导体制造装置的概略结构图。参照图1，现有技术的用于进行CVD工艺处理的半导体制造装置100包括：工艺腔室102，利用供应的工艺气体对放置于卡盘103上的晶片W进行加工处理；送气管道101，与所述工艺腔室102相连通，用于送入待进行CVD处理的工艺气体；排气管道106，与所...
【技术保护点】
1.一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，包括：工艺腔室，利用供应的工艺气体对晶片进行加工处理；送气管道，与所述工艺腔室相连通，用于送入待进行加工用的所述工艺气体；排气管道，与所述工艺腔室相连通，用于排出进行加工处理后产生的排出气体；以及干式泵，通过所述排气管道与所述工艺腔室相连接，用于抽吸从所述工艺腔室排出的所述排出气体，其特征在于，包括：/n自等离子体发射光谱仪，设置于所述排气管道，利用由等离子体产生的光来分析并监控所述工艺腔室内的加工过程；以及/n发射光谱仪控制部，与所述自等离子体发射光谱仪进行接口连接，对所述自等离子体发射光谱仪中分散的所述排出气体的光谱进行...
【技术特征摘要】
1.一种具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，包括：工艺腔室，利用供应的工艺气体对晶片进行加工处理；送气管道，与所述工艺腔室相连通，用于送入待进行加工用的所述工艺气体；排气管道，与所述工艺腔室相连通，用于排出进行加工处理后产生的排出气体；以及干式泵，通过所述排气管道与所述工艺腔室相连接，用于抽吸从所述工艺腔室排出的所述排出气体，其特征在于，包括：
自等离子体发射光谱仪，设置于所述排气管道，利用由等离子体产生的光来分析并监控所述工艺腔室内的加工过程；以及
发射光谱仪控制部，与所述自等离子体发射光谱仪进行接口连接，对所述自等离子体发射光谱仪中分散的所述排出气体的光谱进行分析并输出发射光谱数据。
2.根据权利要求1所述的具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，其特征在于，
所述自等离子体发射光谱仪包括：
等离子体腔室，通过在所述排气管道的一侧分流的引入管道引入经由所述排气管道的排出气体；
射频电源，对所述排出气体进行放电以等离子化；以及
分光计，接收所述等离子化的所述排出气体的光，并检测与时间和波长对应的分光分布强度，从而分析所述排出气体的所述发射光谱数据。
3.根据权利要求1所述的具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，其特征在于，还包括：
在线服务器，利用RV通信与所述发射光谱仪控制部收发所述发射光谱数据，利用SECSII通信与所述工艺腔室收发机台数据。
4.根据权利要求3所述的具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置，其特征在于，还包括：
故障检测分类装置，通过有线或无线方式与所述在线服务器相连接，内置有故障检测分类传感器，利用所述故障检测分类传感器中存储的所述排出气体的气体光谱数据来设定互锁，并对所述故障...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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