【技术实现步骤摘要】
一种冷壁化学气相沉积装置
本新型属于化学气相沉积领域，特别是一种冷壁化学气相沉积装置。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。化学气相沉积技术在生长二维新材料的过程中，已经成为越来越重要的方法。最典型的例子就是化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)大面积生长石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫族化物(Transitionmetaldisulfide，TMDs)。冷壁化学气相沉积系统，又称冷壁CVD，是针对石英管式炉CVD生长设备功耗大、控制性差、产量低等缺点开发出来的一款在CVD加热炉外围设置冷却设备的新型的CVD生长设备。该设备具有以下特点：背景气压低，杂质气体干扰少；参数控制性好，实验重现性高；可扩展性强，可以定制原位金属电极；能耗低，产量高，适用于工业化生长等。现有冷壁CVD为保证以上特点，均把源供给...
【技术保护点】
1.一种冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述冷壁化学气相沉积装置包括：/n设置有化学沉积反应区的主腔体(1)，所述化学沉积反应区处设置有用于提供化学沉积反应所需温度的第一加热装置(2)；/n气体源装置，设置在所述主腔体(1)外部，用于向所述化学沉积反应区提供前驱体为气体的第一待反应气体；/n设置在所述主腔体(1)内的副腔体(3)，所述副腔体(3)用于加热固态源以向所述化学沉积反应区提供前驱体为固体的第二待反应气体。/n
【技术特征摘要】
1.一种冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述冷壁化学气相沉积装置包括：
设置有化学沉积反应区的主腔体(1)，所述化学沉积反应区处设置有用于提供化学沉积反应所需温度的第一加热装置(2)；
气体源装置，设置在所述主腔体(1)外部，用于向所述化学沉积反应区提供前驱体为气体的第一待反应气体；
设置在所述主腔体(1)内的副腔体(3)，所述副腔体(3)用于加热固态源以向所述化学沉积反应区提供前驱体为固体的第二待反应气体。
2.根据权利要求1所述冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一加热装置(2)包括设置在竖直方向上的彼此相对的可升降的上加热器(21)和可升降的下加热器(22)；
所述下加热器(22)朝向所述上加热器(21)的一侧设置有用于承载衬底材料的托盘(23)；
所述托盘(23)上方形成所述化学沉积反应区。
3.根据权利要求2所述冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述可升降的上加热器(21)包括第一电机轴(211)和第一加热器(212)；
所述第一电机轴(211)安装在所述主腔体(1)的上盖上，并可相对所述主腔体(1)的上盖升降；
所述第一加热器(212)固定设置在所述第一电机轴(211)远离所述主腔体(1)的上盖的一端。
4.根据权利要求2所述冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述可升降的下加热器(22)包括第二电机轴(221)和第二加热器(222)；
所述第二电机轴(221)安装在所述主腔体(1)的底盖上，并可相对所述主腔体(1)的底盖升降；
所述第二加热器(222)固定设置在所述第二电机轴(221)远离所述主腔体(1)的底盖的一端。
5.根据权利要求1所述冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述副腔体(3)上设置有进气口和出气口；
所述进气口处密封连接有带第一截止阀(31)的第一管道，所述出气口处密封连接有带第二截止阀(32)的第二管道，所述第二管道的另一端延伸至所述化学沉积反应区。
6.根据权利要求5所述冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述副腔体(3)包括一个、或至少两个相连通的子腔体(33)。
7.根据权利要求6所述冷壁化学气相沉积装置，其特征在于，所述子...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔伟成，赵勇杰，
申请(专利权)人：合肥本源量子计算科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。