一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备制造技术

本实用新型专利技术提出一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备，包括：外壳，外壳内设置有清洗区及漂洗区，与外壳连接有清洗密封门，与外壳连接有漂洗密封门；清洗池，与清洗池连接有清洗液进、出液管；漂洗池，与漂洗池连接有漂洗液进、出液管；超声波发生器，位于清洗池及漂洗池的底部；纵向升降柱，位于清洗池与漂洗池的两侧，纵向升降柱连接于外壳的顶部；直线导轨，横向设置于清洗池及漂洗池上方，直线导轨与纵向升降柱连接，导轨上连接有两滑块；基片夹具，与滑块连接；静电去除装置，与外壳的内壁连接；烘干装置，与外壳内壁连接。本实用新型专利技术能够实现批量化清洗并烘干，并能有效去除基片上的静电。

A substrate cleaning equipment integrating cleaning and drying

【技术实现步骤摘要】
一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备
本技术涉及一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备。
技术介绍
在半导体制造工艺中，基片表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素，而常用半导体制造工艺中的沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等，都有可能在基片表面引入污染或颗粒，导致基片表面的清洁度下降，使得制造完成的半导体器件合格率低。因此，如何清除基片表面的污染和异物质颗粒一直是半导体
的研究热点。
技术实现思路
本技术针对上述的技术问题，提出一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备，此设备能够实现批量化清洗并烘干，并能有效去除基片上的静电。为了达到上述目的，本技术采用的技术方案为：一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备，包括：外壳，所述外壳内设置有清洗区及漂洗区，在所述清洗区内与所述外壳连接有清洗密封门，在所述漂洗区内与外壳连接有漂洗密封门；清洗池，位于所述清洗区内与所述外壳连接，与所述清洗池连接有清洗液进、出液管；漂洗池，位于所述漂洗区内与所述外壳连接，与所述漂洗池连接有漂洗液进、出液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备，其特征在于，包括：/n外壳，所述外壳内设置有清洗区及漂洗区，在所述清洗区内与所述外壳连接有清洗密封门，在所述漂洗区内与外壳连接有漂洗密封门；/n清洗池，位于所述清洗区内与所述外壳连接，与所述清洗池连接有清洗液进、出液管；/n漂洗池，位于所述漂洗区内与所述外壳连接，与所述漂洗池连接有漂洗液进、出液管；/n超声波发生器，位于所述清洗池及所述漂洗池的底部；/n纵向升降柱，位于所述清洗池与所述漂洗池的两侧、可向外壳底端竖向伸缩，所述纵向升降柱连接于所述外壳的顶部；/n直线导轨，横向设置于所述清洗池及所述漂洗池上方，所述直线导轨与所述纵向升降柱连接，所述导轨上连...

【技术特征摘要】
1.一种集清洗及烘干于一体的基片清理设备，其特征在于，包括：
外壳，所述外壳内设置有清洗区及漂洗区，在所述清洗区内与所述外壳连接有清洗密封门，在所述漂洗区内与外壳连接有漂洗密封门；
清洗池，位于所述清洗区内与所述外壳连接，与所述清洗池连接有清洗液进、出液管；
漂洗池，位于所述漂洗区内与所述外壳连接，与所述漂洗池连接有漂洗液进、出液管；
超声波发生器，位于所述清洗池及所述漂洗池的底部；
纵向升降柱，位于所述清洗池与所述漂洗池的两侧、可向外壳底端竖向伸缩，所述纵向升降柱连接于所述外壳的顶部；
直线导轨，横向设置于所述清洗池及所述漂洗池上方，所述直线导轨与所述纵向升降柱连接，所述导轨上连接有可滑动的两滑块，所述滑块可横向移动至所述清洗池及所述漂洗池上方；
基片夹具，与所述滑块连接用于夹持基片；
烘干装置，位于所述漂洗区内、漂洗池的上方用于对漂洗后的基片烘干，所述烘干装置与所述外壳的内壁连接；
静电去除装置，位于所述清洗区内、清洗池上方用于对烘干后的基片去除静电，所述静电去除装置与所述外壳的内壁连接。


2.根据权利要求1所述的集清洗及烘干于一体的基片清理设备，其特征在于：所述清理设备还包括控制器，所述控制器与所述超声波发生器、所述纵向升降柱、所述滑块、所述静电去除装置以及所述烘干装置电性连接。


3.根据权利要求2所述的集清洗及烘干于一体的基片清理设备，其特征在于：所述外壳顶部连接有风机，所述风机的进风口处连接有过滤网，所述风机与所述控制器电性连接。


4.根据权利要求1所述的集清洗及烘干于一体...

【专利技术属性】
技术研发人员：冀然，
申请(专利权)人：青岛天仁微纳科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：山东;37