加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种加热装置，能够在不限制基板的表面中的有效区域的情况下良好地加热基板，所述加热装置具有：加热板，从下方加热以表面朝向上方的面朝上状态定位在加热位置的基板；升降机构，使基板相对于加热板在上下方向上在高于加热位置的待机位置与加热位置之间升降，并将基板在上下方向上定位；吸附机构，在通过加热板加热利用升降机构定位在加热位置的基板的加热处理中，吸附基板的背面。

Heating device

【技术实现步骤摘要】
加热装置
本技术涉及一种利用加热板从下方加热基板的加热装置。
技术介绍
作为半导体器件的制造工艺的一种，存在一边以大致水平姿势支撑具有矩形状的基板一边从下方加热基板的所谓的加热处理。近年来，在该加热处理中，随着基板的大型化，基板的翘曲也进一步变大，从而难以进行均匀的加热处理。因此，提出了使用例如日本特开2006-339485号公报所记载的矫正技术。在该矫正技术中，在腔室盖的下表面周缘部设置倾斜面，在使该倾斜面与基板的周缘端抵接后，进一步使腔室盖向烘烤板(相当于本技术的“加热板”)侧下降，以矫正基板的翘曲。通过该矫正，能够适当地维持基板与烘烤板之间的距离，从而能够实现均匀的加热处理。在上述加热处理中，在矫正基板的翘曲时，由于设置于腔室盖的倾斜面与基板的周缘端相互摩擦，因此，可能产生颗粒。因此，难以在清洁的加热环境中加热基板。另外，要在基板表面的有效区域内制作各种部件，例如，在以晶片级封装(WLP：WaferLevelPackaging)或面板级封装(PLP：PanelLevelPackaging)等制造方式制造的半导体封装中，期望扩大基板的表面上的有效区域来提高基板上的可搭载的半导体芯片等部件件数。但是，在上述加热装置中，由于使腔室盖从基板的表面侧进入来矫正基板的翘曲，因此，有效区域的扩大受到一定的限制，存在改良的余地。
技术实现思路
本技术鉴于上述课题而提出，其目的在于，提供一种加热装置，能够在不限制基板的表面中的有效区域的情况下良好地加热基板。本技术的一个方式提供一种加热装置，其特征在于，具有：加热板，从下方加热以表面朝向上方的面朝上状态定位在加热位置的基板；升降机构，使基板相对于加热板在上下方向上在高于加热位置的待机位置与加热位置之间升降，并将基板在上下方向上定位；吸附机构，在通过加热板加热利用升降机构定位在加热位置的基板的加热处理中，吸附基板的背面。在这样构成的技术中，基板以面朝上状态被加热板加热，在该加热处理中，基板的背面被吸附。因此，能够在不约束基板的表面的情况下限制基板的翘曲。如上所述，由于在吸附基板的背面的状态加热基板，因此，能够在抑制该加热处理中的基板的翘曲的状态下加热基板，从而能够良好地加热基板。而且，在上述的以往装置中，为了抑制翘曲而约束基板的表面，而本技术不需要这样的约束手段，从而能够在不限制基板的表面中的有效区域的情况下良好地加热基板。附图说明图1是表示本技术的加热装置的第一实施方式的图。图2是沿图1的A-A线的向视图。图3是示意性地表示图1所示加热装置的加热动作的主要工序的图。图4是表示本技术的加热装置的第二实施方式的图。图5是沿图4的A-A线的向视图。图6是示意性地表示图4所示加热装置的加热动作的主要工序的图。图7是表示本技术的加热装置的第三实施方式的图。图8是沿图7的A-A线的向视图。图9是示意性地表示图7所示加热装置的加热动作的主要工序的图。附图标记的说明：1加热装置2加热板3升降机构4吸附机构21(第一)通孔22(第二)通孔25凹部32提升销34提升销驱动部(第一驱动部)41吸附垫42负压供给部43升降销46升降销驱动部(第二驱动部)321(第一)吸引孔422吸引配管431(第二)吸引孔P1加热位置P2待机位置S基板Sb(基板的)背面Sf(基板的)表面具体实施方式图1是表示本技术的加热装置的第一实施方式的图。另外，图2是沿图1的A-A线的向视图。在俯视时，该加热装置1呈矩形状，接收并加热在其表面Sf上层叠有半导体芯片、布线的半导体封装用玻璃基板(以下，简称为“基板”)S。此外，基板的材质、层叠物的种类并不限定于此，另外，也可以是加热例如用于半导体封装以外的半导体器件的制造的基板的加热装置。即，本说明书的“基板”包括成为最终产品的一部分的基板以及在经过最终工序前虽为半成品的一部分但在最终产品完成前被清除废弃或者再利用的基板(所谓的载体(carrier)基板)。如图1所示，加热装置1具有接收基板S的腔室10。通过在腔室10内进行处理，通过加热处理防止挥发的气体成分向周围飞散，并且通过覆盖被加热的基板S的周围来抑制热的扩散，从而能够提高能量转换效率。为了这些目的，腔室10为将顶板11、侧板12、底板13以及挡板14组合为箱型的构件。挡板14自由开闭地安装于设置在腔室10的一个侧面的开口15，在关闭状态下，该挡板14经由密封件(省略图示)被按压至腔室10的侧面，从而堵住开口15。另一方面，在图1中，在由虚线所示的挡板14的打开状态下，能够经由被打开的开口15与外部之间进行基板S的交换。即，被未图示的外部的搬运机器人等保持的未处理的基板S经由开口15被搬入腔室10内。另外，在腔室10内处理完毕的基板S通过搬运机器人等向外部搬出。在腔室10的底部设置有加热板2。在加热板2的上表面设置有多个凹部(省略图示)，直径比凹部的深度略大的球体23嵌入各个凹部。能够利用这些球体23的顶部从下方支撑基板S，从外部搬入的基板S以层叠有半导体芯片等的面(相当于本技术的“基板的表面”)向上的所谓面朝上状态载置于球体23上。这样一来，在距加热板2的上表面形成有称作邻近间隙的微小空间的状态下定位基板S。在本说明书中，将这样被定位并被加热处理的基板S的位置(在本说明书中，为上下方向上的基板S的背面Sb的高度位置)称作“加热位置”。另外，如后面详细说明的那样，在本说明书中，将为了在上下方向上在搬运机器人之间交接基板S而临时待机的基板S的位置称作“待机位置”。如图1所示，为了对定位于加热位置(图3中的附图标记P1)的基板S实施加热处理，在加热板2的内部内置有加热器24。通过从控制整个装置的控制部90向该加热器24供给电力，加热器24工作。由此，通过来自加热板2的上表面的辐射热均匀地加热基板S。此外，能够根据基板S的平面尺寸等合适地设定球体23的个数、位置。为了在加热板2与搬运机器人之间顺利地进行基板S的交接，在加热装置1中设置有升降机构3。具体而言，在腔室10的底板13以及加热板2上设置有多个沿上下方向延伸的通孔21。在本实施方式中，如图2所示，对应加热板2的四角的每一个角分别设置有一个通孔21，并且，在加热板2的中央部矩形状地设置有四个通孔21。并且，在各通孔21中插通有提升销(liftpin)32。这八根提升销32的下端固定于升降构件33。升降构件33被提升销驱动部34支撑为在上下方向上能够自由升降。提升销驱动部34根据来自控制部90的升降指令进行动作，以使升降构件33升降。由此，八根提升销32能够一体地升降，从而能够使基板S在上下方向上升降。更具体地说，提升销32在上方位置与下方位置之间移动，所述上方位置是接下来要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热装置，其特征在于，/n具有：/n加热板，从下方加热以表面朝向上方的面朝上状态定位在加热位置的基板；/n升降机构，使所述基板相对于所述加热板在上下方向上在高于所述加热位置的待机位置与所述加热位置之间升降，并将所述基板在所述上下方向上定位；/n吸附机构，在通过所述加热板加热利用所述升降机构定位在所述加热位置的所述基板的加热处理中，吸附所述基板的背面。/n

【技术特征摘要】
20181127 JP 2018-2208511.一种加热装置，其特征在于，
具有：
加热板，从下方加热以表面朝向上方的面朝上状态定位在加热位置的基板；
升降机构，使所述基板相对于所述加热板在上下方向上在高于所述加热位置的待机位置与所述加热位置之间升降，并将所述基板在所述上下方向上定位；
吸附机构，在通过所述加热板加热利用所述升降机构定位在所述加热位置的所述基板的加热处理中，吸附所述基板的背面。


2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
所述加热板具有在所述上下方向上贯通的第一通孔，
所述升降机构具有：
提升销，经由所述第一通孔在所述上下方向上可升降地设置；
第一驱动部，使所述提升销在所述上下方向上升降，
所述吸附机构具有：
吸附垫，安装于所述提升销的上端；
负压供给部，在所述加热处理中，经由设置于所述提升销的内部的第一吸引孔向所述吸附垫供给负压，通过所述吸附垫的上端面吸附于所述基板的背面。


3.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，
所述加热板具有在所述上下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野幸一，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：新型
国别省市：日本;JP