器件芯片的制造方法技术

提供器件芯片的制造方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。器件芯片的制造方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从在由交叉的分割预定线划分的正面的多个区域内形成有器件的晶片的正面沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，在形成有激光加工槽的晶片的正面上粘贴粘接带；以及磨削步骤，对隔着保护部件而被卡盘工作台保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。

Manufacturing method of device chip

【技术实现步骤摘要】
器件芯片的制造方法
本专利技术涉及器件芯片的制造方法。
技术介绍
半导体器件芯片通常搭载于由平坦的玻璃环氧构成的硬质的基板等安装基板上。但是，近年来，作为安装基板，出现了柔软且富有挠性的柔性基板。柔性基板搭载于具有曲面的有机EL(ElectroLuminescence，电致发光)面板、或沿着人体的姿态设置的传感器等。另一方面，本专利技术的申请人提出了如下的切割技术：在将晶片分割成器件芯片时，实施所谓的阶梯式切割：在利用切刃较厚的切削刀具形成切削槽之后，利用切刃较薄的切削刀具对切削槽的底进行切削(例如参照专利文献1)。专利文献1：日本特许第2892459号公报搭载于上述柔性基板的器件芯片必然会被向弯折的方向施加力，因此要求更高的抗弯强度。专利文献1等所示的切割技术存在会产生崩边因而使抗弯强度降低的趋势。切割技术尤其会显著产生背面侧的崩边，因此专利文献1所示的技术即使实施阶梯式切割等，也难以完全消除缺损，存在课题。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供器件芯片的制造方法，能够提高器件芯片的抗弯强度。根据本专利技术的一个方式，提供器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：激光加工槽形成步骤，从在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；保护部件粘贴步骤，在形成有该激光加工槽的晶片的正面上粘贴保护部件；以及磨削步骤，对隔着该保护部件而由卡盘工作台所保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将该晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该磨削步骤之后，对被该保护部件保持的器件芯片进行等离子蚀刻。优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该保护部件粘贴步骤之前，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成深度超过该器件芯片的厚度的切削槽，在该磨削步骤中，进行磨削直至该切削槽在背面露出。优选该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。根据本专利技术的其他方式，提供器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面上粘贴保护部件；磨削步骤，从背面侧对粘贴有该保护部件的该晶片进行磨削，薄化至完工厚度；激光加工步骤，在实施了磨削步骤之后，从晶片的正面或背面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该激光加工步骤之后，对该保护部件所保持的器件芯片进行等离子蚀刻。优选所述器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工步骤之后，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成将该晶片分割的切削槽。优选该器件芯片是搭载于具有挠性的柔性基板的器件芯片，该柔性基板形成有布线和电极。本申请专利技术的器件芯片的制造方法起到能够提高器件芯片的抗弯强度的效果。附图说明图1是示出第1实施方式的器件芯片的制造方法的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是通过第1实施方式的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图3是图2所示的器件芯片的侧视图。图4是示出第1实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。图5是将图4所示的器件芯片的制造方法的保护膜包覆步骤以局部剖面示出的侧视图。图6是将图4所示的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。图7是将图4所示的器件芯片的制造方法的保护膜清洗步骤以局部剖面示出的侧视图。图8是示出在图4所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中使粘接带的粘接层与晶片的正面对置的状态的立体图。图9是示出在图4所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中在晶片的正面上粘贴有粘接带的状态的立体图。图10是示出图4所示的器件芯片的制造方法的磨削步骤的侧视图。图11是晶片的主要部分的剖视图，示意性示出图4所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤。图12是通过第1实施方式和第1实施方式的变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图13是图12所示的器件芯片的侧视图。图14是示出第2实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。图15是将图14所示的器件芯片的制造方法的激光加工槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。图16是将图14所示的器件芯片的制造方法的槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。图17是通过图14所示的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图18是图17所示的器件芯片的侧视图。图19是示出第3实施方式的器件芯片的制造方法的流程的流程图。图20是示出在图19所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中使粘接带的粘接层与晶片的正面对置的状态的立体图。图21是示出在图19所示的器件芯片的制造方法的保护部件粘贴步骤中在晶片的正面上粘贴有粘接带的状态的立体图。图22是示出图19所示的器件芯片的制造方法的磨削步骤的侧视图。图23是示出图19所示的器件芯片的制造方法的换贴步骤的立体图。图24是将图19所示的器件芯片的制造方法的保护膜包覆步骤以局部剖面示出的侧视图。图25是将图19所示的器件芯片的制造方法的激光加工步骤以局部剖面示出的侧视图。图26是将图19所示的器件芯片的制造方法的保护膜清洗步骤以局部剖面示出的侧视图。图27是晶片的主要部分的剖视图，示意性示出图19所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤。图28是图19所示的器件芯片的制造方法的等离子蚀刻步骤后的晶片的主要部分的剖视图。图29是通过第3实施方式的第1变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图30是图29所示的器件芯片的侧视图。图31是通过第3实施方式的第2变形例的器件芯片的制造方法制造的器件芯片的立体图。图32是图31所示的器件芯片的侧视图。图33是示出第3实施方式的第3变形例的器件芯片的制造方法的流程的流程图。图34是将图33所示的器件芯片的制造方法的槽形成步骤以局部剖面示出的侧视图。标号说明1：晶片；2：基板；3：分割预定线；4：正面；5：器件；6：背面；7、7-2、7-3、7-4：激光加工槽；8、8-4：切削槽；10、10′、10-2、10-3、10-3′、10-3″：器件芯片；11：外侧面(侧面)；12、12-1：倾斜面；41：激光光线；61：卡盘工作台；75：切削刀具；100：完工厚度(器件芯片的厚度)；200：粘接带本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件芯片的制造方法，其中，/n该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：/n激光加工槽形成步骤，从在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；/n保护部件粘贴步骤，在形成有该激光加工槽的晶片的正面上粘贴保护部件；以及/n磨削步骤，对隔着该保护部件而由卡盘工作台所保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将该晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。/n

【技术特征摘要】
20181207 JP 2018-2301631.一种器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：
激光加工槽形成步骤，从在由交叉的多条分割预定线划分的正面的多个区域内分别形成有器件的晶片的正面沿着该分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线形成朝向宽度方向外侧变浅的V形状的激光加工槽；
保护部件粘贴步骤，在形成有该激光加工槽的晶片的正面上粘贴保护部件；以及
磨削步骤，对隔着该保护部件而由卡盘工作台所保持的晶片从背面进行磨削，薄化至完工厚度并且将该晶片分割，从而形成侧面具有倾斜面的多个器件芯片。


2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法还具有如下的等离子蚀刻步骤：在实施了该磨削步骤之后，对被该保护部件保持的器件芯片进行等离子蚀刻。


3.根据权利要求1或2所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法还具有如下的槽形成步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该保护部件粘贴步骤之前，利用切削刀具沿着该激光加工槽形成深度超过该器件芯片的厚度的切削槽，
在该磨削步骤中，进行磨削直至该切削槽在背面露出。


4.根据权利要求1或2所述的器件芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊泽哲，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP