【技术实现步骤摘要】
一种薄膜沉积方法及设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种薄膜沉积方法及设备。
技术介绍
等离子体增强型原子层沉积(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，以下简称PEALD)，采用PEALD沉积薄膜的方法，一般包括以下四步：第一步：第一前驱体、第二前驱体以及等离子清洗源的阀门吹扫气体在缓冲腔中混合后，进入反应腔室，第一前驱体吸附在反应腔室中的晶片上。第二步：停止第一前驱体输入，第二前驱体与阀门吹扫气体继续通入反应腔室，以吹扫反应腔室中未吸附的第一前驱体。第三步：开启射频器，使反应腔室中产生的等离子体电浆激发第二前驱体的分子，与第一前驱体发生反应形成目标物，从而在晶片上沉积了薄膜。第四步：停止射频器并继续向反应腔室中通入第二前驱体与吹扫气体，以吹扫反应腔室。进一步，现有技术中缓冲腔的进气口分布中，第一前驱体从第一进气口进入缓冲腔，第二前驱体从与第一进气口顺时针间隔90°的第二进气口进入缓冲腔；与第一进气口逆时针90°间隔接口的是缓冲腔室压强量...
【技术保护点】
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/nS1，向与反应腔相连的缓冲腔中通入第一前驱体与补充气体，所述补充气体为吹扫气体或第二前驱体，以使所述补充气体与所述第一前驱体在所述缓冲腔中混合，且二者混合后流入所述反应腔；/nS2，停止向所述缓冲腔内通入所述第一前驱体，向所述缓冲腔通入所述吹扫气体与所述第二前驱体，以依次吹扫等离子体清洗源的阀门、所述缓冲腔以及所述反应腔；/nS3，向所述反应腔中加载射频功率，以激发所述反应腔中的第二前驱体形成等离子体，以使所述等离子体与所述第一前驱体反应，从而在晶片上形成薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1，向与反应腔相连的缓冲腔中通入第一前驱体与补充气体，所述补充气体为吹扫气体或第二前驱体，以使所述补充气体与所述第一前驱体在所述缓冲腔中混合，且二者混合后流入所述反应腔；
S2，停止向所述缓冲腔内通入所述第一前驱体，向所述缓冲腔通入所述吹扫气体与所述第二前驱体，以依次吹扫等离子体清洗源的阀门、所述缓冲腔以及所述反应腔；
S3，向所述反应腔中加载射频功率，以激发所述反应腔中的第二前驱体形成等离子体，以使所述等离子体与所述第一前驱体反应，从而在晶片上形成薄膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述步骤S1中，利用载气携带所述第一前驱体通入所述缓冲腔；
在所述步骤S2中：停止向所述缓冲腔内通入所述第一前驱体，且继续向所述缓冲腔通入所述载气、所述第二前驱体。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，还包括：
步骤S4，停止向所述反应腔中加载射频功率，并继续向所述缓冲腔通入所述第二前驱体。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述步骤S4中，继续向所述缓冲腔通入所述吹扫气体以及所述载气。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，还包括：
步骤S4，停止向所述反应腔中加载射频功率，并继续...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦海丰，史小平，兰云峰，王勇飞，纪红，赵雷超，张文强，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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