ALD加热炉制造技术

本发明专利技术公开了一种ALD加热炉，包括筒状腔体，筒状腔体的两端设置分别设置前炉门和后炉门，筒状腔体内部设置有导流腔，在前炉门处设置进气组件，所述进气组件包括一个导流腔门、外层均流板以及内层均流板，内腔门上与外层匀流板对应位置有凹陷，形成一个圆形的薄进气室。内、外层匀流板之间通过螺栓、垫片分开一定间隔，前炉门关闭状态下，内、外层匀流板与内腔体侧壁又形成一个方形进气室。内、外层匀流板上等距分步大小相同圆形气孔，内层匀流板孔径略小于外层匀流板，以便气流分散通过。通过均匀进气系统向衬底或其他反应基底均匀输送前驱体，从而使反应物快速覆盖衬底或上一原子层，有效提高材料生长的均匀性，使前驱体绝大部分用于成膜。

ALD heater

【技术实现步骤摘要】
ALD加热炉
本专利技术涉及原子沉积
，具体涉及一种ALD加热炉。
技术介绍
传统的ALD装置需要将大量反应物导入反应腔室内，使衬底或上一原子层沉浸在前驱体的气氛中，但由于气流和真空限制，难以保证前驱体对整个衬底或上一原子层的全面覆盖，容易形成针孔等缺陷，造成前驱体与衬底或上一原子层接触不均匀，导致成膜均匀性差。同时由于反应不全，前驱体的大量充入造成气体大量残余，直接影响到整个周期成膜的速率，并且造成前驱体的浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中前驱体与衬底或上一原子层接触的均匀性差、反应物利用率的和材料生长周期长导致的沉积效率低下的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种ALD加热炉，包括筒状腔体，筒状腔体的两端设置分别设置前炉门和后炉门，筒状腔体内部设置有导流腔，导流腔的外壁设置有加热组件对导流腔内部进行加热，导流腔的底部设置支撑部件对导流腔进行支撑，导流腔内设置有舟体用于放置硅片，其特征在于：在前炉门处设置进气组件，所述进气组件包括一个导流腔门、外层均流板以及内层均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ALD加热炉，包括筒状腔体，筒状腔体的两端设置分别设置前炉门和后炉门，筒状腔体内部设置有导流腔，导流腔的外壁设置有加热组件对导流腔内部进行加热，导流腔的底部设置支撑部件对导流腔进行支撑，导流腔内设置有舟体用于放置硅片，其特征在于：在前炉门处设置进气组件，所述进气组件包括一个导流腔门、外层均流板以及内层均流板，所述导流腔门上设置有锥形凹陷部，在导流腔门上还设置有多个进气口，在导流腔门内部设置有气体通道，气体通道连接进气口，并且在锥形凹陷部的顶点处汇合；外层均流板上设置有透气孔，外层均流板贴合设置在导流腔门上，外层均流板位于与锥形凹陷部对应，内层均流板通过固定住设置导流腔门上，其与外层均流...

【技术特征摘要】
1.一种ALD加热炉，包括筒状腔体，筒状腔体的两端设置分别设置前炉门和后炉门，筒状腔体内部设置有导流腔，导流腔的外壁设置有加热组件对导流腔内部进行加热，导流腔的底部设置支撑部件对导流腔进行支撑，导流腔内设置有舟体用于放置硅片，其特征在于：在前炉门处设置进气组件，所述进气组件包括一个导流腔门、外层均流板以及内层均流板，所述导流腔门上设置有锥形凹陷部，在导流腔门上还设置有多个进气口，在导流腔门内部设置有气体通道，气体通道连接进气口，并且在锥形凹陷部的顶点处汇合；外层均流板上设置有透气孔，外层均流板贴合设置在导流腔门上，外层均流板位于与锥形凹陷部对应，内层均流板通过固定住设置导流腔门上，其与外层均流板之间存在间隙，内层均流板上也设置透气孔，且其孔径小于外层均流板孔径；导流腔门与导流腔可以贴合从而在导流腔内形成密闭腔体。


2.根据权利要求1所述的ALD加热炉，其特征在于：所述舟体的尾端连接一个口径逐渐减少的锥形内罩，锥形内罩连接第一排气管，第一排气管穿过尾端的炉门，锥形内罩与舟体端部之间设置一个与均流板，均流板设置矩阵设置多个透气孔。


3.根据权利要求2所述的稳流ALD加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世磊，姜涛，安锦湖，
申请(专利权)人：无锡市正罡自动化设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32